上海華力集成電路制造有限公司張月雨獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114077157B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111426254.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G03F1/36;該發(fā)明授權(quán)OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法是由張月雨;汪悅設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-11-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法在說明書摘要公布了:本申請涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法。方法包括:提供對應(yīng)半導(dǎo)體器件特定層的掩模版數(shù)據(jù)文件和OPC初始模型;從掩模版數(shù)據(jù)文件中,選取實際特征尺寸屬于第一特征尺寸范圍的掩模圖形作為測試圖形,所有測試圖形形成測試圖形集;第一特征尺寸包括半導(dǎo)體特定器件層的最小設(shè)計特征尺寸;使用測試圖形集優(yōu)化OPC初始模型,生成第一OPC模型;基于第一OPC模型,對測試圖形集中的每個測試圖形進行模擬,確定測試圖形集中的有效測試圖形集;刪除掩模版數(shù)據(jù)文件中,實際特征尺寸小于最小有效測試圖形的實際特征尺寸的掩模圖形,使得剩余掩模圖形作為OPC建模的量測圖形數(shù)據(jù)。
本發(fā)明授權(quán)OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法,其特征在于,所述OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法包括依次進行的以下步驟: 提供對應(yīng)半導(dǎo)體器件特定層的掩模版數(shù)據(jù)文件和OPC初始模型;所述OPC初始模型,依據(jù)對應(yīng)所述半導(dǎo)體器件特定層的光學(xué)系統(tǒng)參數(shù),預(yù)先建立; 從所述掩模版數(shù)據(jù)文件中,選取實際特征尺寸屬于第一特征尺寸范圍的掩模圖形作為測試圖形,所有測試圖形形成測試圖形集;所述第一特征尺寸包括所述半導(dǎo)體器件特定層的最小設(shè)計特征尺寸; 使用所述測試圖形集優(yōu)化所述OPC初始模型,生成第一OPC模型; 基于所述第一OPC模型,對所述測試圖形集中的每個所述測試圖形進行模擬,確定所述測試圖形集中的有效測試圖形集; 刪除所述掩模版數(shù)據(jù)文件中,實際特征尺寸小于最小有效測試圖形的實際特征尺寸的掩模圖形,使得剩余掩模圖形作為OPC建模的量測圖形數(shù)據(jù)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人上海華力集成電路制造有限公司,其通訊地址為:201203 上海市浦東新區(qū)良騰路6號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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