長鑫存儲技術有限公司張世明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利字線結構及形成方法、半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116096069B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111273068.3，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權字線結構及形成方法、半導體結構是由張世明;文浚碩;肖德元;金若蘭設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本字線結構及形成方法、半導體結構在說明書摘要公布了：本公開提供了一種字線結構及形成方法、半導體結構，涉及存儲器技術領域。該字線結構形成方法包括：提供基底，所述基底包括襯底，在所述襯底上形成多個間隔排布的字線溝槽和有源區柱；在所述有源區柱上形成絕緣層，并在相鄰的所述絕緣層之間填充第一隔離層；處理所述絕緣層，在處理后的所述絕緣層上形成環形柵極；回刻蝕所述第一隔離層，使所述第一隔離層的頂部低于所述環形柵極的底部；在所述環形柵極的頂部沉積第二隔離層，所述第一隔離層和所述第二隔離層之間形成氣隙結構。通過該字線結構形成方法形成的字線結構中的環形柵極之間會形成氣隙結構，通過氣隙結構可以減小相鄰的環形柵極之間的寄生電容，降低了時延噪聲，提高了器件的性能。
本發明授權字線結構及形成方法、半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種字線結構形成方法，其特征在于， 包括： 提供基底，所述基底包括襯底，在所述襯底上形成多個間隔排布的字線溝槽和有源區柱； 在所述有源區柱上形成絕緣層，并在相鄰的所述絕緣層之間填充第一隔離層； 處理所述絕緣層，在處理后的所述絕緣層上形成環形柵極； 回刻蝕所述第一隔離層，使所述第一隔離層的頂部低于所述環形柵極的底部； 在所述環形柵極的頂部沉積第二隔離層，所述第一隔離層和所述第二隔離層之間形成氣隙結構。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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