旺宏電子股份有限公司洪敏峰獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉旺宏電子股份有限公司申請的專利三維AND快閃存儲器元件及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115835646B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111155697.6，技術領域涉及：H10B43/35；該發(fā)明授權三維AND快閃存儲器元件及其制造方法是由洪敏峰;曾碧山設計研發(fā)完成，并于2021-09-29向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本三維AND快閃存儲器元件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種三維AND快閃存儲器元件，包括：柵極疊層結構，位于介電基底上，其中所述柵極疊層結構包括彼此交替疊層的多個柵極層與多個絕緣層；多個通道柱，穿過所述柵極疊層結構；多個第一導體柱與多個第二導體柱，位于所述多個通道柱內，且與所述多個通道柱電性連接；多個電荷儲存結構，位于所述多個柵極層與所述通道柱之間；以及多個隔離墻，埋在所述多個柵極層中，所述多個隔離墻包覆所述多個第二導體柱外側壁的所述多個電荷儲存結構。
本發(fā)明授權三維AND快閃存儲器元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種三維AND快閃存儲器元件，包括： 柵極疊層結構，位于介電基底上，其中所述柵極疊層結構包括彼此交替疊層的多個柵極層與多個絕緣層； 多個通道柱，延伸穿過所述柵極疊層結構； 多個第一導體柱與多個第二導體柱，位于所述多個通道柱內，且與所述多個通道柱電性連接； 多個電荷儲存結構，位于所述多個柵極層與所述通道柱之間；以及 多個隔離墻，埋在所述多個柵極層中，所述多個隔離墻包覆所述多個第二導體柱外側壁的所述多個電荷儲存結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人旺宏電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)力行路16號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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