長鑫存儲技術有限公司寗樹梁獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115775776B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111038541.X，技術領域涉及：H01L23/34；該發明授權半導體結構是由寗樹梁;何軍;劉杰;應戰設計研發完成，并于2021-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構在說明書摘要公布了：本申請實施例涉及一種半導體結構，包括：第一晶圓，第一晶圓內具有若干存儲芯片；第二晶圓，第二晶圓內具有若干邏輯芯片，第二晶圓的第一面與第一晶圓的第一面連接，并使存儲芯片和邏輯芯片電連接；基板，基板內設置有液體管道，基板與第一晶圓的第二面相接觸，基板用于在存儲芯片工作前向液體管道內通入加熱溶液，以將存儲芯片加熱到預設溫度；其中，第一晶圓的第二面與第一晶圓的第一面相對設置。在存儲芯片工作前，通過向液體管道中通入加熱溶液將存儲芯片加熱到預設溫度，增加了開始工作時數據傳輸并存儲在存儲芯片中的速率，使得內存寫入恢復時間內數據能完整的寫入存儲芯片，消除了開始工作時存儲芯片不能寫入完整數據對半導體結構整體性能的影響。
本發明授權半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 第一晶圓，所述第一晶圓內具有若干存儲芯片； 第二晶圓，所述第二晶圓內具有若干邏輯芯片，所述第二晶圓的第一面與所述第一晶圓的第一面連接，并使所述存儲芯片和所述邏輯芯片電連接； 基板，所述基板內設置有液體管道，所述基板與所述第一晶圓的第二面相接觸，所述基板用于在所述存儲芯片工作前向所述液體管道內通入加熱溶液，以將所述存儲芯片加熱到預設溫度，所述基板還用于在所述存儲芯片工作時向所述液體管道內通入冷卻溶液，以降低所述半導體結構的溫度； 其中，所述第一晶圓的第二面與所述第一晶圓的第一面相對設置。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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