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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115708206B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110956294.5，技術領域涉及：H01L23/544；該發(fā)明授權半導體結構及其制備方法是由劉志拯設計研發(fā)完成，并于2021-08-19向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體結構及其制備方法。所述半導體結構包括：襯底、導電圖案層、支撐層以及重布線層。導電圖案層設置于襯底上。支撐層覆蓋導電圖案層，且具有過孔。重布線層設置于支撐層上，重布線層包括：至少位于過孔內(nèi)的測試焊盤。測試焊盤包括相間設置且互連的多個測試接觸部和多個凹部，其中，所述凹部與導電圖案層的位于過孔內(nèi)的部分對應接觸。本公開提供的半導體結構及其制備方法，不僅可以避免半導體結構的良率因晶圓驗收測試受損，還有利于實現(xiàn)半導體結構尺寸的進一步微縮。

本發(fā)明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于， 包括： 襯底； 導電圖案層，設置于所述襯底上； 支撐層，覆蓋所述導電圖案層，且具有過孔； 以及，重布線層，設置于所述支撐層上；所述重布線層包括：至少位于所述過孔內(nèi)的測試焊盤；所述測試焊盤包括相間設置且互連的多個測試接觸部和多個凹部，其中，所述凹部與所述導電圖案層的位于所述過孔內(nèi)的部分對應接觸； 其中，相鄰兩個所述測試接觸部頂部之間的間隙小于相鄰兩個所述測試接觸部底部之間的間隙。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.gztjhr.cn/list?keyword=%E9%95%BF%E9%91%AB%E5%AD%98%E5%82%A8%E6%8A%80%E6%9C%AF%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)空港工業(yè)園興業(yè)大道388號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。