臺灣積體電路制造股份有限公司林宗樺獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利用于形成半導體結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113948370B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110475823.X，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權用于形成半導體結構的方法是由林宗樺;陳逸科;劉家助;林華泰設計研發完成，并于2021-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于形成半導體結構的方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種用于形成半導體結構的方法，包括：在襯底上形成具有在第一方向上延伸的第一線特征和第二線特征的圖案。在襯底上沉積光致抗蝕劑層以覆蓋圖案之后，對光致抗蝕劑層進行圖案化以形成包括第一切割特征和第二切割特征的切割圖案，該第一切割特征和第二切割特征分別暴露第一線特征和第二線特征的部分。在俯視圖中，第一切割特征和第二切割特征中的至少一者相對于相應第一線特征或第二線特征的中心軸被不對稱地布置。執行至少一個傾斜離子注入以在垂直于第一方向的至少一個方向上擴大第一切割特征和第二切割特征。然后去除分別被第一切割特征和第二切割特征暴露的第一線特征的部分和第二線特征的部分。
本發明授權用于形成半導體結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體結構的方法，包括： 在襯底上形成圖案，所述圖案包括在第一方向上延伸的第一線特征和第二線特征； 在所述襯底上沉積光致抗蝕劑層以覆蓋所述圖案； 對所述光致抗蝕劑層進行圖案化以形成包括第一切割特征和第二切割特征的切割圖案，所述第一切割特征暴露所述第一線特征的部分，所述第二切割特征暴露所述第二線特征的部分，其中，在俯視圖中，所述第一切割特征和所述第二切割特征中的至少一者相對于相應第一線特征或第二線特征的中心軸被不對稱地布置； 執行至少一個傾斜離子注入以在垂直于所述第一方向的至少一個方向上擴大所述第一切割特征和所述第二切割特征； 去除被所述第一切割特征暴露的所述第一線特征的部分和被所述第二切割特征暴露的所述第二線特征的部分；以及 去除所述光致抗蝕劑層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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