力特半導體(無錫)有限公司曾劍飛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉力特半導體(無錫)有限公司申請的專利半導體臺面器件形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115148589B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110335748.7，技術領域涉及：H01L21/304；該發明授權半導體臺面器件形成方法是由曾劍飛設計研發完成，并于2021-03-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體臺面器件形成方法在說明書摘要公布了：一種形成半導體器件的方法可以包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一極性的內部區域和被布置在內部區域上的表面層，其中所述表面層包括與第一極性相反的第二極性。所述方法可以進一步包括使用鋸去除半導體襯底的表面部分，其中溝槽區域被形成在半導體襯底內，并且使用化學工藝清洗溝槽區域，其中至少一個臺面結構被形成在半導體襯底內。
本發明授權半導體臺面器件形成方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，包括： 提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一極性的內部區域，和在所述半導體襯底的第一側上被布置在所述內部區域上的第一表面層，和在與所述第一側相對的所述半導體襯底的第二側上被布置在所述內部區域上的第二表面層，其中，所述第一表面層和所述第二表面層包括與所述第一極性相反的第二極性，其中，所述第一表面層和所述半導體襯底的第一側上的內部區域限定第一p結，所述第二表面層和半導體襯底的第二側上的內部區域限定第二p結，其中所述第一表面層和第二表面層在單個擴散過程中被形成，所述單個擴散過程還分別在所述第一表面層和第二表面層上形成第一氧化層和第二氧化層； 在第一表面上使用鋸去除所述半導體襯底的第一表面部分，并且在第二表面上使用鋸去除所述半導體襯底的第二表面部分，其中第一溝槽區域被形成在所述第一表面上的半導體襯底內并且至少延伸到所述第一p結的深度，并且第二溝槽區域被形成在所述第二表面上的半導體襯底內并且至少延伸到所述第二p結的深度；以及 使用化學工藝清洗所述第一溝槽區域和所述第二溝槽區域，其中至少一個臺面結構被形成在所述第一側上的半導體襯底內，并且至少一個額外臺面結構被形成在所述第二側上的半導體襯底內。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人力特半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214142 江蘇省無錫市新區碩放振發六路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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