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龍圖騰網獲悉西安紫光國芯半導體有限公司申請的專利用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823603B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110130017.9，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片是由李曉駿設計研發完成，并于2021-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片，其中，芯片單元包括：襯底層；金屬層，金屬層包括相對設置的第一表面和第二表面，金屬層的第二表面設置在襯底層上；金屬層穿孔組件，設置在金屬層內，金屬層穿孔組件包括：第一導體件、第二導體件和導體連接孔，第一導體件形成于金屬層的第一表面，第二導體件形成于金屬層的第二表面，導體連接孔形成于金屬層內，第二導體件通過導體連接孔連接于第一導體件，以使信號能夠通過襯底層傳輸至第一表面；襯底通孔，開設在襯底層上，連通于第二導體件。該芯片單元降低了刻蝕的工藝難度，降低了占用金屬層的面積，降低了電阻寄生參數和電容寄生參數，縮短了芯片單元的制備周期，降低了生產成本。

本發明授權用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片在權利要求書中公布了：1.一種用于3D芯片的芯片單元，其特征在于，包括： 襯底層； 金屬層，所述金屬層包括相對設置的第一表面和第二表面，所述金屬層的所述第二表面設置在所述襯底層上； 金屬層穿孔組件，設置在所述金屬層內，所述金屬層穿孔組件包括：第一導體件、第二導體件和導體連接孔，所述第一導體件形成于所述金屬層的第一表面，所述第二導體件形成于所述金屬層的第二表面，所述導體連接孔形成于所述金屬層內，所述第二導體件通過所述導體連接孔連接于所述第一導體件，以使信號能夠通過所述襯底層傳輸至所述第一表面； 襯底通孔，開設在所述襯底層上，連通于所述第二導體件； 片內導體件，位于所述第一導體件和所述第二導體件之間； 其中，所述導體連接孔為多個，所述第二導體件通過多個所述導體連接孔中的部分所述導體連接孔連接于所述片內導體件，所述片內導體件通過多個所述導體連接孔中的部分所述導體連接孔連接于第一導體件； 所述導體連接孔為柱狀，所述導體連接孔包括通孔和連接柱，所述通孔開設在所述金屬層，所述連接柱為填充在所述通孔內的金屬柱，所述第一導體件和所述片內導體件通過所述金屬柱連接，所述第二導體件和所述片內導體件通過所述金屬柱連接，相鄰的所述片內導體件通過所述金屬柱連接； 襯底導體件，設置在所述襯底層內； 所述襯底通孔包括底部通孔和中間連接孔，所述底部通孔開設在所述襯底的底部，連通于所述襯底導體件，所述中間連接孔位于所述襯底導體件和所述第二導體件之間，所述襯底導體件通過所述中間連接孔連通于所述第二導體件，所述襯底通孔沿襯底高度方向的截面為梯形，所述梯形的短邊位于所述襯底層靠近所述金屬層的一側，所述梯形的長邊位于所述襯底層遠離所述金屬層的一側，其中，導體介質層填充在所述底部通孔內； 所述片內導體件為多個，多個所述片內導體件間隔設置在所述第一導體件和所述第二導體件之間，相鄰的所述片內導體件通過多個所述導體連接孔中的部分所述導體連接孔連接，所述導體連接孔的數量與所述導體連接件的數量的差值為1； 散熱層，所述散熱層覆蓋在所述散熱介質層上，所述散熱層的橫截面積大于所述導體介質填充層的面積。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安紫光國芯半導體有限公司，其通訊地址為：710075 陜西省西安市高新區丈八街辦高新六路38號A座4樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。