金俊成獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉金俊成申請的專利含有硫屬化合物的存儲器單元的組分、其結構、其制造方法及其操作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114730835B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080078617.9，技術領域涉及：G11C5/14；該發明授權含有硫屬化合物的存儲器單元的組分、其結構、其制造方法及其操作方法是由金俊成;李承桓;尹相勛設計研發完成，并于2020-11-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本含有硫屬化合物的存儲器單元的組分、其結構、其制造方法及其操作方法在說明書摘要公布了：本發明的目的是與包括硫屬化合物的存儲器元件相關地提供一種用于存儲器元件的穩定操作的組分、適用于該組分的存儲器結構、用于制造其的方法以及用于操作其的方法。為實現上述目的，本發明可以提供一種具有交叉點結構的存儲器陣列，該存儲器陣列包括：彼此相交的第一電極線和第二電極線；以及由硫屬化合物形成的選擇存儲器元件，其被設置在第一電極線和第二電極線的每個相交點處。第一電極線形成在基板上。第一功能電極可以形成在第一電極線與選擇存儲器元件之間。第二功能電極可以形成在第二電極線與選擇存儲器元件之間。第一功能電極可以被形成為沿著第一電極線的線。
本發明授權含有硫屬化合物的存儲器單元的組分、其結構、其制造方法及其操作方法在權利要求書中公布了：1.一種對包括作為硫屬化合物的兩端子選擇器或選擇存儲器的存儲器單元進行初始化的方法，所述方法包括以下步驟： a向所述存儲器單元施加初始化電壓； b確定所述存儲器單元是否導通；以及 c當所述存儲器單元導通時，終止所述初始化，并且當所述存儲器單元未導通時，增大初始化電壓并且重復步驟a和步驟b，其中，當增大的初始化電壓超過第一電壓時，終止所述初始化， 其中，首先從所述初始化電壓施加的第一初始化電壓小于或等于漂移前處于置位狀態的存儲器單元的最大閾值電壓，并且 所述第一電壓在漂移讀取窗口范圍內，所述漂移讀取窗口范圍是所述漂移后預期的處于復位狀態的存儲器單元的最小閾值電壓與所述漂移后預期的處于所述置位狀態的所述存儲器單元的所述最大閾值電壓之間的電壓范圍。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人金俊成，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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