株式會社索思未來田中英俊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉株式會社索思未來申請的專利半導體集成電路裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114600242B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202080074126.7，技術領域涉及：H10D89/10；該發(fā)明授權半導體集成電路裝置是由田中英俊設計研發(fā)完成，并于2020-10-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體集成電路裝置在說明書摘要公布了：提供一種在半導體集成電路裝置中可充分抑制閂鎖現象的發(fā)生的結構。在輸出電路中，輸出晶體管P1與和外部輸出端子相連的ESD保護二極管D1分離布置，且在輸出晶體管P1與ESD保護二極管D1之間布置有保護電阻R1。保護電阻R1分在多個電阻區(qū)21形成，在電阻區(qū)21彼此之間，形成有向襯底或阱供給電源電壓的抽頭。施加到外部輸出端子的噪聲在到達輸出晶體管P1之前，被保護電阻R1衰減，并通過抽頭被吸收。
本發(fā)明授權半導體集成電路裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體集成電路裝置，包括輸出電路，其特征在于： 所述輸出電路包括： 外部輸出端子； 向所述外部輸出端子輸出輸出信號的第一輸出晶體管； 與所述外部輸出端子相連的第一ESDElectoStaticDischarge，靜電放電保護二極管；以及 連接在所述第一輸出晶體管與所述第一ESD保護二極管之間的第一保護電阻， 俯視時，所述第一輸出晶體管與所述第一ESD保護二極管分離布置，且在所述第一輸出晶體管與所述第一ESD保護二極管之間，布置有所述第一保護電阻， 所述第一保護電阻分在多個電阻區(qū)形成，在所述電阻區(qū)彼此之間，形成有向襯底或阱供給電源電壓的抽頭。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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