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龍圖騰網(wǎng)獲悉羅伯特·博世有限公司申請的專利半導(dǎo)體設(shè)備以及用于制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114402438B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202080059711.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/17；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體設(shè)備以及用于制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法是由A·馬丁內(nèi)斯-利米亞;K·埃耶斯;W·法伊勒;S·施魏格爾;J-H·阿爾斯邁爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-19向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體設(shè)備以及用于制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法在說明書摘要公布了：提供一種半導(dǎo)體設(shè)備1。所述半導(dǎo)體設(shè)備1可以具有：第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)11，111，13，14，15；在所述漂移區(qū)11，111，13，14，15上的第二導(dǎo)電類型的溝道區(qū)8，108，其中，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反；在所述溝道區(qū)8，108上的所述第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)9，109；溝槽5，所述溝槽形成絕緣柵并且延伸通過所述源極區(qū)9，109和所述溝道區(qū)8，108，從而所述溝槽的底部位于所述漂移區(qū)11，111，13，14，15中；所述第二導(dǎo)電類型的至少一個(gè)掩埋區(qū)12，所述掩埋區(qū)在所述漂移區(qū)11，111，13，14，15內(nèi)從所述漂移區(qū)11，111，13，14，15的邊緣區(qū)域延伸至所述溝槽5，并與所述溝槽5的表面的第一部分區(qū)域32直接接觸，其中，所述溝槽5的表面的第二部分區(qū)域34與所述漂移區(qū)11，111，13，14，15直接接觸，其中，所述掩埋區(qū)12與所述源極區(qū)9，109導(dǎo)電連接。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體設(shè)備以及用于制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體設(shè)備1，所述半導(dǎo)體設(shè)備具有： 第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)11，111，13，14，15； 在所述漂移區(qū)11，111，13，14，15上的第二導(dǎo)電類型的溝道區(qū)8，108，其中，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反； 在所述溝道區(qū)8，108上或在所述溝道區(qū)8，108中的所述第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)9，109； 溝槽5，所述溝槽形成絕緣柵，并且所述溝槽延伸通過所述源極區(qū)9，109和所述溝道區(qū)8，108，從而所述溝槽的底部位于所述漂移區(qū)11，111，13，14，15中； 所述第二導(dǎo)電類型的至少一個(gè)掩埋區(qū)12，所述掩埋區(qū)在所述漂移區(qū)11，111，13，14，15內(nèi)從所述漂移區(qū)11，111，13，14，15的邊緣區(qū)域延伸至所述溝槽5，并與所述溝槽5的表面的第一部分區(qū)域32直接接觸， 其中，所述溝槽5的表面的第二部分區(qū)域34與所述漂移區(qū)11，111，13，14，15直接接觸， 其中，所述掩埋區(qū)12與所述源極區(qū)9，109導(dǎo)電連接， 其中，所述至少一個(gè)掩埋區(qū)12具有多個(gè)掩埋區(qū)12； 其中，所述溝槽5的表面的所述第一部分區(qū)域32具有多個(gè)第一部分區(qū)域區(qū)段， 其中，所述第二部分區(qū)域34位于所述第一部分區(qū)域區(qū)段之間， 其中，所述溝槽在縱向方向和與所述縱向方向垂直的橫向方向上延伸，其中，所述溝槽5在所述縱向方向上的延伸比在所述橫向方向上更長； 其中，所述第一部分區(qū)域區(qū)段沿著所述縱向方向布置在所述溝槽5的第一側(cè)面上和所述溝槽5的與所述第一側(cè)面相對(duì)置的第二側(cè)面上， 其中，所述掩埋區(qū)12中的每個(gè)掩埋區(qū)與所述溝槽5的所述縱向方向包圍一角度， 其中，與所述第一側(cè)面上的第一部分區(qū)域區(qū)段接觸的掩埋區(qū)12與所述溝槽5的所述縱向方向包圍第一角度φ1， 其中，與所述第二側(cè)面上的第一部分區(qū)域區(qū)段接觸的掩埋區(qū)12與所述溝槽5的所述縱向方向包圍第二角度φ2， 其中，對(duì)于0°α45°，φ1＝45°+α并且φ2＝45°-α。

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