東京毅力科創(chuàng)株式會社松浦廣行獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會社申請的專利熱處理方法和熱處理裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112420510B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010794218.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/324；該發(fā)明授權(quán)熱處理方法和熱處理裝置是由松浦廣行設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-08-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本熱處理方法和熱處理裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供熱處理方法和熱處理裝置。本發(fā)明的一個方式的熱處理方法包括：在基片上形成膜中氫濃度為5×1019atomscm3以上的非晶硅膜的步驟；和通過對上述基片照射微波，以對上述非晶硅膜進行加熱而從上述非晶硅膜形成多晶硅膜的步驟。本發(fā)明能夠形成大粒徑的多晶硅膜。
本發(fā)明授權(quán)熱處理方法和熱處理裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種熱處理方法，其特征在于，包括： 在基片上形成膜中氫濃度為5×1019atomscm3以上的非晶硅膜的步驟； 利用電阻發(fā)熱體的發(fā)熱，以比非晶硅膜結(jié)晶化的溫度低的第1溫度，對以石英制的處理容器的內(nèi)部被減壓得低于大氣壓的狀態(tài)被收納在其中的所述基片進行加熱的步驟；和 通過對以所述處理容器的內(nèi)部被減壓得低于大氣壓且利用電阻發(fā)熱體的發(fā)熱而被加熱了的狀態(tài)被收納在所述處理容器的內(nèi)部的所述基片照射微波，來以第2溫度加熱所述非晶硅膜而從所述非晶硅膜形成多晶硅膜的步驟，其中，所述第2溫度是比所述第1溫度高的所述非晶硅膜結(jié)晶化的溫度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人東京毅力科創(chuàng)株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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