無錫華潤上華科技有限公司馮冰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利一種半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113964080B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010698027.8，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種半導體器件及其制作方法是由馮冰設計研發完成，并于2020-07-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及其制作方法，所述方法包括：提供晶圓，所述晶圓上形成有金屬層；在所述晶圓上形成第一金屬間介電層；對所述第一金屬間介電層進行加熱處理；對所述第一金屬間介電層進行氧化處理；在所述第一金屬間介電層上形成第二金屬間介電層。根據本發明的半導體器件的制作方法，通過對第一金屬間介電層進行加熱處理和氧化處理，以在第一金屬間介電層和第二金屬間介電層之間的界面處形成致密的氧化層，避免水汽侵蝕以及游離F離子的擴散與析出，從而避免了在晶圓邊緣處生成氣泡狀缺陷，提高了晶圓的良率。
本發明授權一種半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供晶圓，所述晶圓上形成有金屬層，所述金屬層包括鋁銅合金； 在所述晶圓上采用高密度等離子體化學氣相沉積形成第一金屬間介電層的同時，在所述晶圓背面通入流動的氦氣來防止所述晶圓的溫度過高造成熔鋁現象； 對所述第一金屬間介電層進行加熱處理； 對所述第一金屬間介電層進行氧化處理； 在所述第一金屬間介電層上采用等離子體增強化學氣相沉積形成第二金屬間介電層； 其中，所述第一金屬間介電層包括摻氟硅玻璃，所述第二金屬間介電層包括摻氟硅玻璃。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新洲路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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