英特爾公司C·J·杰澤斯基獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利基于鈷的互連及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361132B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210020138.2，技術領域涉及：H01L23/532；該發明授權基于鈷的互連及其制造方法是由C·J·杰澤斯基;T·K·因杜庫里;R·V·謝比亞姆;C·T·卡弗設計研發完成，并于2015-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于鈷的互連及其制造方法在說明書摘要公布了：實施例包括金屬互連結構，所述金屬互連結構包括：設置在襯底上的電介質層；所述電介質層中的開口，其中，所述開口具有側壁并且暴露所述襯底和互連線的至少其中之一的導電區；設置在所述導電區之上和所述側壁上的粘附層，所述粘附層包括錳；以及所述開口內和所述粘附層的表面上的填充材料，所述填充材料包括鈷。本文中描述了其它實施例。
本發明授權基于鈷的互連及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種集成電路結構，包括： 電介質層； 所述電介質層中的開口，所述開口具有上部和下部，所述上部的寬度大于所述下部的寬度； 位于所述開口的所述下部中的鈷插塞； 基于錳的粘附層，所述基于錳的粘附層位于所述開口的所述上部的側壁上和位于所述鈷插塞上，并且直接接觸所述開口的所述上部的側壁和所述鈷插塞，其中所述基于錳的粘附層不是種子層；以及 鈷填充材料，所述鈷填充材料位于所述開口的所述上部中和位于所述基于錳的粘附層上，其中所述鈷填充材料包括鈷和銅，所述鈷填充材料包括至少50%的鈷。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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