上海華力集成電路制造有限公司雷海波獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利金屬柵的支撐槽制造方法及金屬柵結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114743869B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210170180.2，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權金屬柵的支撐槽制造方法及金屬柵結構是由雷海波;夏禹;董穎;何志斌設計研發完成，并于2022-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本金屬柵的支撐槽制造方法及金屬柵結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種金屬柵的支撐槽制造方法，提供襯底，襯底上形成有第一、第二器件區，第一器件區形成有多個第一柵極，第二器件區上形成有至少一個尺寸大于第一柵極的第二柵極；刻蝕第二柵極形成至少一個支撐槽；在襯底形成覆蓋第一柵極和第二柵極的第一掩膜層；在襯底形成覆蓋第一掩膜層的第二掩膜層，使得支撐槽被第二掩膜層填充；刻蝕第二掩膜層，使得填充在支撐槽中以外的第二掩膜層去除；刻蝕第一掩膜層，使得第一柵極和第二柵極的上表面裸露。本發明通過在大面積柵中增加額外的支撐槽，使得金屬柵抗研磨能力增加，從而保證高壓器件在金屬柵制程下能正常工作。
本發明授權金屬柵的支撐槽制造方法及金屬柵結構在權利要求書中公布了：1.一種具有支撐槽的金屬柵的制造方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，所述襯底上形成有第一器件區和第二器件區，所述第一器件區形成有多個第一柵極，所述第二器件區上形成有至少一個尺寸大于所述第一柵極的第二柵極； 步驟二、刻蝕所述第二柵極形成支撐槽，其中所述支撐槽的寬度小于相鄰兩個所述第一柵極間的最小間距； 步驟三、形成覆蓋所述第一柵極和所述第二柵極的第一掩膜層，其中所述第一掩膜層的材料為SiCN； 步驟四、形成覆蓋所述第一掩膜層的第二掩膜層，使得所述支撐槽被所述第二掩膜層填充，其中所述第二掩膜層的材料為二氧化硅； 步驟五、刻蝕所述第二掩膜層，使得填充在所述支撐槽中以外的所述第二掩膜層去除； 步驟六、刻蝕所述第一掩膜層，使得所述第一柵極和所述第二柵極的上表面裸露； 步驟七、形成覆蓋所述第一、第二柵極、所述第一、第二掩膜層的層間介質層，之后研磨所述層間介質層使得所述第一、第二柵極裸露。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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