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龍圖騰網獲悉佛山市國星半導體技術有限公司申請的專利高抗水解性能藍綠光LED外延片結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551659B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210137823.3，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權高抗水解性能藍綠光LED外延片結構及其制備方法是由張文燕;李剛;潘樹林;武杰;胡清富設計研發完成，并于2022-02-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本高抗水解性能藍綠光LED外延片結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高抗水解性能藍綠光LED外延片結構及其制備方法，涉及半導體光電器件以及半導體照明制造領域。其中，外延結構的制備方法包括：提供襯底，分別生長緩沖層、u?GaN層、第一n?GaN層、n?AlGaN層、第二n?GaN層、InGaNGaN層、量子阱層、第一p?GaN層、p?AlGaN層、第二p?GaN層，即得到高抗水解性能藍綠光LED外延片。實施本發明，可提升外延晶體質量及外延層致密性，提升抗水解性能。

本發明授權高抗水解性能藍綠光LED外延片結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高抗水解性能藍綠光LED外延片結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： （1）提供襯底，在其一面上生長緩沖層； （2）在所述緩沖層上生長u-GaN層；u-GaN層的生長速率為5~8μmh，厚度為1~3μm； （3）在所述u-GaN層上生長摻雜濃度為7.5×1018~8.5×1018cm-3的第一n-GaN層；第一n-GaN層的生長速率為3~6μmh，厚度為0.5~2μm； （4）在所述第一n-GaN層上生長厚度為10~100nm的n-AlGaN層； （5）在所述n-AlGaN層上生長摻雜濃度為1×1019~3×1019cm-3的第二n-GaN層；第二n-GaN層的生長速率為3~5μmh，厚度為1.5~2μm； （6）在所述第二n-GaN層上生長多個周期數的InGaNGaN層； （7）在所述InGaNGaN層上生長量子阱層； （8）在所述量子阱層上生長摻雜濃度為5×1019~1.5×1020cm-3的第一p-GaN層； （9）在所述第一p-GaN層上生長p-AlGaN層； （10）在所述p-AlGaN層上生長摻雜濃度為1×1018~1×1020cm-3的第二p-GaN層，即得到高抗水解性能藍綠光LED外延片。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人佛山市國星半導體技術有限公司，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅村朗沙廣東新光源產業基地內光明大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。