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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利GaN HEMT器件的柵極刻蝕方法、器件制備方法、器件、設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114582720B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202210118917.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/308；該發(fā)明授權(quán)GaN HEMT器件的柵極刻蝕方法、器件制備方法、器件、設(shè)備是由龐亞楠;陳敏;戴維;歐新華;袁瓊;符志崗;邱星福;劉宗金設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本GaN HEMT器件的柵極刻蝕方法、器件制備方法、器件、設(shè)備在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種GaNHEMT器件的柵極刻蝕方法，包括：刻蝕勢(shì)壘層上的P型層；以所述第一圖形化阻擋層為掩模，對(duì)所述第一P型層進(jìn)行第一次刻蝕，對(duì)剩余的所述第一P型層暴露出來(lái)的側(cè)面進(jìn)行第一次化學(xué)處理；在剩余的所述P型層的表面形成第二圖形化阻擋層；以所述第二圖形化阻擋層為掩模，對(duì)所述第二P型層進(jìn)行第二次刻蝕，形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)；對(duì)剩余的所述第二P型層暴露出來(lái)的側(cè)面以及暴露出來(lái)的所述勢(shì)壘層的表面進(jìn)行第二次化學(xué)處理；既有效抑制了來(lái)自勢(shì)壘層的電荷移動(dòng)，又消除刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的P型層的側(cè)壁缺陷和勢(shì)壘層的表面缺陷，有效減少了漏電和向柵極的電荷轉(zhuǎn)移，從而提高了閾值電壓的穩(wěn)定性和可靠性，解決了一定程度的長(zhǎng)時(shí)間使用后會(huì)出現(xiàn)漂移現(xiàn)象。

本發(fā)明授權(quán)GaN HEMT器件的柵極刻蝕方法、器件制備方法、器件、設(shè)備在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種GaNHEMT器件的柵極刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟： 在襯底上沿背離所述襯底方向上依次形成成核層、緩沖層、溝道層、勢(shì)壘層、P型層；其中， 所述P型層包括第二P型層以及形成在所述第二P型層上的第一P型層，其中，第一P型層厚度大于第二P型層； 在所述P型層的表面形成第一圖形化阻擋層； 以所述第一圖形化阻擋層為掩模，對(duì)所述第一P型層進(jìn)行第一次刻蝕，去除所述第一圖形化阻擋層所覆蓋區(qū)域外的第一P型層，暴露出所述第二P型層； 對(duì)剩余的所述第一P型層暴露出來(lái)的側(cè)壁進(jìn)行第一次化學(xué)處理；以消除側(cè)壁缺陷； 去除所述第一圖形化阻擋層；在剩余的所述P型層的表面形成第二圖形化阻擋層； 以所述第二圖形化阻擋層為掩模，對(duì)所述第二P型層進(jìn)行第二次刻蝕，暴露出所述勢(shì)壘層，使得所述第二次刻蝕后剩余的所述第二P型層和剩余的所述第一P型層形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)； 對(duì)剩余的所述第二P型層暴露出來(lái)的側(cè)壁以及暴露出來(lái)的所述勢(shì)壘層的表面進(jìn)行第二次化學(xué)處理； 去除所述圖形化的第二阻擋層； 形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋在剩余的P型層的表面，以及暴露出的勢(shì)壘層的表面； 其中，所述第二次刻蝕刻蝕所述P型層的刻蝕速率小于所述第一次刻蝕刻蝕所述P型層的速率。

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