常州承芯半導體有限公司韓興獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉常州承芯半導體有限公司申請的專利體聲波諧振裝置及形成方法、濾波裝置及射頻前端裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114421915B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210108874.3,技術領域涉及:H03H9/02;該發明授權體聲波諧振裝置及形成方法、濾波裝置及射頻前端裝置是由韓興;周建;李軍濤;鄒雅麗設計研發完成,并于2022-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本體聲波諧振裝置及形成方法、濾波裝置及射頻前端裝置在說明書摘要公布了:一種體聲波諧振裝置及形成方法、濾波裝置及射頻前端裝置,其中體聲波諧振裝置包括:包括空腔的第一層;第一電極層;壓電層,位于第一電極層上,覆蓋空腔,包括第一側及相對的第二側,第一電極層位于第一側;第二電極層,位于第二側,位于壓電層上,第二電極層上的與第一電極層的重合部位于空腔上方,對應空腔;第一復合結構,位于第一側,接觸壓電層,與第一電極層水平方向上相鄰,第一復合結構靠近第一電極層的第一端位于空腔內,遠離第一電極層的第一端水平方向上相對的第二端嵌入第一層,包括第一邊緣延伸層及第一支撐層,第一支撐層位于壓電層與第一邊緣延伸層之間,用于降低邊緣容抗,提升機電耦合系數及阻隔漏波,提高Q值。
本發明授權體聲波諧振裝置及形成方法、濾波裝置及射頻前端裝置在權利要求書中公布了:1.一種體聲波諧振裝置,其特征在于,包括: 第一層,所述第一層包括空腔; 第一電極層,所述第一電極層位于所述空腔內; 壓電層,位于所述第一電極層上,覆蓋所述空腔,所述壓電層包括第一側及與所述第一側垂直方向上相對的第二側,所述第一電極層位于所述第一側; 第二電極層,位于所述第二側,位于所述壓電層上,所述第二電極層上的與所述第一電極層的重合部位于所述空腔上方,對應所述空腔;以及 第一復合結構,位于所述第一側,接觸所述壓電層,所述第一復合結構包圍所述第一電極層,所述第一復合結構包括:第一邊緣部,位于所述空腔內,所述第一邊緣部連接所述第一電極層且包圍所述第一電極層,所述第一邊緣部與所述第二電極層具有重合部;第一延伸部,連接所述第一邊緣部,所述第一延伸部靠近所述第一電極層的第一端位于所述空腔內,所述第一延伸部遠離所述第一電極層的與所述第一端水平方向上相對的第二端嵌入所述第一層;第三延伸部,位于所述空腔內,連接所述第一邊緣部;所述第一延伸部與所述第三延伸部位于所述第一電極層水平方向上相對的兩端; 其中,所述第一延伸部包括第一邊緣延伸層及第一支撐層,所述第一邊緣延伸層及所述第一支撐層和所述第二電極層具有第一重合部,所述第一支撐層位于所述壓電層與所述第一邊緣延伸層之間,用于降低邊緣容抗;所述第三延伸部包括第三邊緣延伸層及第三支撐層,所述第三邊緣延伸層及所述第三支撐層和所述第二電極層具有第三重合部,所述第三重合部匹配所述第一重合部,所述第三支撐層位于所述壓電層與所述第三邊緣延伸層之間。
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