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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇吉萊微電子股份有限公司申請的專利一種低壓低漏電流單向保護器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114388631B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111659083.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/00；該發(fā)明授權(quán)一種低壓低漏電流單向保護器件及其制備方法是由張鵬;宋文龍;楊玨琳;王志明設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種低壓低漏電流單向保護器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種低壓低漏電流單向保護器件及其制備方法，制備方法包括：制備N型襯底材料；制備N型外延層；生長一層犧牲氧化層，正面光刻形成P型擴散區(qū)圖形，正面硼注入，硼推進；正面光刻形成N+擴散區(qū)圖形，正面磷注入；正面光刻形成P+擴散區(qū)圖形，正面硼注入，硼推進，形成N+擴散區(qū)、P+擴散區(qū)；正面淀積隔離介質(zhì)層，正面光刻形成接觸孔區(qū)；正面濺射或蒸發(fā)金屬，合金；背面減薄，背面金屬。發(fā)明在P型擴散區(qū)上方引入P+擴散區(qū)，P+擴散區(qū)的光刻間距為L，設(shè)計L的尺寸，使得由P+擴散區(qū)、N型外延層、P+擴散區(qū)組成的PNP結(jié)構(gòu)在擊穿電壓3.3?6V實現(xiàn)穿通，達到低壓低漏電流的要求，通過優(yōu)化N型外延層的濃度與光刻間距L的尺寸，可以獲得小于1uA的漏電流。

本發(fā)明授權(quán)一種低壓低漏電流單向保護器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低壓低漏電流單向保護器件，其特征在于：所述單向保護器件的剖面結(jié)構(gòu)包括N型襯底材料、N型外延層、P型擴散區(qū)、P+擴散區(qū)、N+擴散區(qū)、表面鈍化層、正面金屬層、背面金屬層，所述N型外延層位于N型襯底材料上，所述N型外延層頂部依次為N+擴散區(qū)、第一P+擴散區(qū)、P型擴散區(qū)、第二P+擴散區(qū)、N+擴散區(qū)，所述N+擴散區(qū)與P+擴散區(qū)通過N型外延層上表面的正面金屬層形成互聯(lián)，所述P型擴散區(qū)上方引入第三P+擴散區(qū)，所述引入的第三P+擴散區(qū)與P型擴散區(qū)兩側(cè)的第一P+擴散區(qū)、第二P+擴散區(qū)的光刻間距為L，L為0.5-2μm，所述N+擴散區(qū)、第一P+擴散區(qū)、第二P+擴散區(qū)、第三P+擴散區(qū)與上方正面金屬層的連接處設(shè)有表面鈍化層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人江蘇吉萊微電子股份有限公司，其通訊地址為：226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)牡丹江西路1800號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。