中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司杜杳雋獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利OPC模型及其建立方法和系統、OPC方法、設備及存儲介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116300297B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111562568.9，技術領域涉及：G03F1/36；該發明授權OPC模型及其建立方法和系統、OPC方法、設備及存儲介質是由杜杳雋設計研發完成，并于2021-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本OPC模型及其建立方法和系統、OPC方法、設備及存儲介質在說明書摘要公布了：一種OPC模型及其建立方法和系統、OPC方法、設備及存儲介質，建立方法包括：提供測試圖形；根據測試圖形獲得測試光罩；對測試光罩進行實際曝光，獲得實際曝光圖形；利用初始光學鄰近修正模型對測試圖形進行模擬曝光，獲得模擬曝光圖形，模擬曝光包括：對測試圖形上的測試點和多個周圍點的光強相關分布進行平滑化處理，且對周圍點分別配置在平滑化處理中所占的權重；根據實際曝光圖形和模擬曝光圖形，確定實際曝光圖形和模擬曝光圖形的誤差；基于誤差對初始光學鄰近修正模型進行校正，得到光學鄰近修正模型。本發明更精準地建立光學鄰近修正模型。
本發明授權OPC模型及其建立方法和系統、OPC方法、設備及存儲介質在權利要求書中公布了：1.一種光學鄰近修正模型的建立方法，其特征在于，包括： 提供測試版圖，所述測試版圖包括測試圖形； 根據所述測試圖形，獲得相對應的測試光罩； 對所述測試光罩進行實際曝光，獲得實際曝光圖形； 利用初始光學鄰近修正模型對所述測試圖形進行模擬曝光，獲得模擬曝光圖形，所述模擬曝光包括：對所述測試圖形上的每一個測試點和位于所述測試點四周的多個周圍點的光強相關分布進行平滑化處理，且對與所述測試點距離相等的周圍點分別配置在所述平滑化處理中所占的權重； 根據所述實際曝光圖形和相對應模擬曝光圖形，確定所述實際曝光圖形和相對應模擬曝光圖形的誤差； 基于所述誤差對所述初始光學鄰近修正模型進行校正，得到光學鄰近修正模型。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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