廣東省科學院半導體研究所張康獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉廣東省科學院半導體研究所申請的專利一種半導體結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113990741B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111261789.2，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種半導體結構及其制作方法是由張康;何晨光;陳志濤;吳華龍;劉云洲設計研發完成，并于2021-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體結構及其制作方法，涉及半導體技術領域。首先基于一襯底制備鋁氮化合物緩沖層，然后對襯底與鋁氮化合物緩沖層進行退火，以在襯底的一側形成鋁氮化合物薄膜，其中，鋁氮化合物薄膜包括多個第一基島，且相鄰兩個第一基島之間間隔設置并露出部分襯底，再利用預設生長條件基于所述第一基島生長第二基島，并最終形成外延層。本申請提供的半導體結構及其制作方法具有提升了外延晶體質量、抑制襯底附近GaN界面漏電的效果。
本發明授權一種半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構制作方法，其特征在于，所述方法包括： 基于一襯底制備鋁氮化合物緩沖層；其中，所述鋁氮化合物緩沖層為通過濺射工藝形成的AlN緩沖層； 在退火溫度為800℃～1100℃、反應室腔體壓力為50～1000mbar以及通氨氣保護的條件下退火時間0～1000s，以在所述襯底的一側形成厚度為8～17nm的鋁氮化合物薄膜，其中，所述鋁氮化合物薄膜包括多個第一基島，且相鄰兩個第一基島之間間隔設置并露出部分襯底； 在通氨氣、反應室腔體壓力為400～800mbar、溫度為900℃～980℃以及ⅤⅢ族元素比為200～2000的條件下，沿所述襯底與所述鋁氮化合物緩沖層的一側制作外延層； 變換三維生長條件，并在通氨氣、反應室腔體壓力為300～500mbar、溫度為950℃～1020℃以及ⅤⅢ族元素比為1000-3000的條件下繼續制作外延層； 利用預設的二維生長條件沿所述襯底與所述鋁氮化合物緩沖層的一側制作剩余部分外延層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廣東省科學院半導體研究所，其通訊地址為：510651 廣東省廣州市天河區長興路363號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號