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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利一種消除柵氧化層下埋工藝中硅殘留的方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114038792B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111244873.3，技術領域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權一種消除柵氧化層下埋工藝中硅殘留的方法是由朱軒廷;朱軼錚;陸連設計研發(fā)完成，并于2021-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種消除柵氧化層下埋工藝中硅殘留的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種消除柵氧化層下埋工藝中硅殘留的方法，至少包括：提供襯底，在襯底上形成多個STI，STI之間的區(qū)域分別定義為中壓器件區(qū)和高壓器件區(qū)，襯底上形成有覆蓋中壓器件區(qū)和高壓器件區(qū)以及STI區(qū)的硬掩膜；分別刻蝕在中壓器件區(qū)和高壓器件區(qū)，形成不同深度的硅溝槽；在硅溝槽底部形成具有第一厚度的刻蝕二氧化硅層；利用Si相對SiO2的高選擇比對硅溝槽區(qū)進行各向同性刻蝕，去除硅溝槽側壁靠近STI區(qū)的硅；利用SiO2相對Si的高選擇比刻蝕去除溝槽區(qū)底部的刻蝕終止層，能夠消除柵氧化層下埋工藝中的硅殘留，從而達到抑制柵氧化層電流遂穿效應并大大提高氧化層可靠性的目的。

本發(fā)明授權一種消除柵氧化層下埋工藝中硅殘留的方法在權利要求書中公布了：1.一種消除柵氧化層下埋工藝中硅殘留的方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成多個STI，所述STI之間的區(qū)域分別定義為中壓器件區(qū)和高壓器件區(qū)，所述襯底上形成有覆蓋所述中壓器件區(qū)和高壓器件區(qū)以及STI區(qū)的硬掩膜； 步驟二、分別刻蝕在所述中壓器件區(qū)和所述高壓器件區(qū)，形成不同深度的硅溝槽； 步驟三、以氧氣作為離子源，采用等離子氣體在所述硅溝槽底部氧化形成具有第一厚度的二氧化硅層； 步驟四、利用Si相對SiO2的高選擇比對所述硅溝槽進行各向同性干法刻蝕，采用至少含有Cl2、NF3和He的混合等離子氣體，去除所述硅溝槽側壁靠近所述STI區(qū)的硅殘留； 步驟五、利用SiO2相對Si的高選擇比刻蝕去除所述硅溝槽底部的所述二氧化硅層。

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