長鑫存儲技術有限公司李宗翰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體器件及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115995480B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111208074.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體器件及其制備方法與應用是由李宗翰設計研發完成，并于2021-10-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本申請實施例涉及半導體技術領域，具體公開了一種半導體器件及其制備方法與應用。其中，所述半導體器件，包括：襯底；半導體材料層，半導體材料層位于襯底上，且覆蓋部分襯底；柵極，柵極位于半導體材料層和未被半導體材料層覆蓋的襯底上；其中，沿柵極的延伸方向，半導體材料層的寬度小于襯底的寬度，且半導體材料層與襯底的材料的載流子遷移率不同。本申請通過形成沿柵極的延伸方向，寬度小于襯底的寬度的半導體材料層，且根據半導體材料層與襯底的載流子遷移率的差異，提供了一種至少為三階的控制器件，該控制器件至少包括關斷、半導通和完全導通三個狀態。在實際電路應用中能夠根據電壓情況切換多種工作狀態，降低GIDL電流。
本發明授權半導體器件及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于， 包括： 襯底； 半導體材料層，所述半導體材料層位于所述襯底上，且覆蓋部分所述襯底； 柵極，所述柵極位于所述半導體材料層和未被所述半導體材料層覆蓋的所述襯底上；其中， 沿所述柵極的延伸方向，所述半導體材料層的寬度小于所述襯底的寬度，且所述半導體材料層與所述襯底的材料的載流子遷移率不同； 所述半導體器件包括三個狀態，當施加于所述半導體器件的電壓小于第一閾值時，所述半導體器件為關斷狀態；當所述電壓大于第一閾值且小于第二閾值時，所述半導體器件為半導通狀態；當所述電壓大于第二閾值時，所述半導體器件為完全導通狀態。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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