長鑫存儲技術有限公司王路廣獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115881542B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111145116.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及其制作方法是由王路廣設計研發完成，并于2021-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體結構及其制作方法。其中半導體結構的制作方法，包括：提供基片，基片包括半導體襯底、柵極結構以及介質層，半導體襯底內形成有漏區以及源區，柵極結構位于源區與漏區之間，介質層覆蓋柵極結構以及半導體襯底；于基片內形成接觸孔，接觸孔貫穿介質層至源區和或漏區；至少于接觸孔內形成半導體連接結構，并形成接觸并覆蓋半導體連接結構表面的接觸結構；于接觸結構上形成導電結構。本申請可以降低接觸結構形成時產生的應力對器件性能造成的影響。
本發明授權半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括： 提供基片，所述基片包括半導體襯底、柵極結構以及介質層，所述半導體襯底內形成有漏區以及源區，所述柵極結構位于所述源區與所述漏區之間，所述介質層覆蓋所述柵極結構以及所述半導體襯底； 于所述基片內形成接觸孔，所述接觸孔貫穿所述介質層至所述源區和或所述漏區； 于所述接觸孔內以及所述介質層表面形成半導體連接結構，并于所述半導體連接結構表面形成接觸結構，包括：于所述接觸孔內部外延生長第一連接結構；于所述第一連接結構表面以及所述介質層表面形成第二連接材料層；于所述第二連接材料層表面形成接觸材料層；通過熱處理，使所述接觸材料層與部分所述第二連接材料層反應以形成所述接觸結構，剩余的所述第二連接材料層構成第二連接結構，其中，所述半導體連接結構包括所述第一連接結構與所述第二連接結構，所述接觸結構接觸并覆蓋所述半導體連接結構表面，在垂直于所述接觸孔延伸方向的方向上，所述接觸結構穿越所述接觸孔所在區域的內外； 于所述接觸結構上形成導電結構。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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