力晶積成電子制造股份有限公司洪錦石獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉力晶積成電子制造股份有限公司申請的專利提高邊界虛擬存儲器陣列的本質臨界電壓的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115714107B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111036927.7，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權提高邊界虛擬存儲器陣列的本質臨界電壓的方法是由洪錦石;易成名;鄧才科設計研發完成，并于2021-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本提高邊界虛擬存儲器陣列的本質臨界電壓的方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種提高虛擬存儲器陣列的本質臨界電壓VthIntrinsicVth的方法。在一基底上制作邊界虛擬存儲器陣列、主存儲器陣列、解碼器以及周邊元件的過程中，所述方法進一步包括對邊界虛擬存儲器陣列施行額外的注入制作工藝，使邊界虛擬存儲器陣列的阱區濃度大于主存儲器陣列的阱區濃度。另一方面，在制作解碼器或周邊元件的期間，同時對原本不會接受注入的邊界虛擬存儲器陣列進行額外的注入制作工藝，也可實現邊界虛擬存儲器陣列的阱區濃度大于主存儲器陣列的阱區濃度并節省光掩模。
本發明授權提高邊界虛擬存儲器陣列的本質臨界電壓的方法在權利要求書中公布了：1.一種提高邊界虛擬存儲器本質臨界電壓的方法，包括在基底上制作邊界虛擬存儲器陣列、主存儲器陣列、解碼器以及周邊元件，其中所述邊界虛擬存儲器陣列的阱區與所述主存儲器陣列的阱區是用同一道制作工藝形成，且所述方法還包括以下至少一個步驟： 在制作所述解碼器期間，同時對所述解碼器的區域內的所述基底與所述邊界虛擬存儲器陣列的所述阱區進行第一注入制作工藝，以形成所述解碼器的阱區并使所述邊界虛擬存儲器陣列的所述阱區的摻雜濃度大于所述主存儲器陣列的所述阱區的摻雜濃度； 在制作所述周邊元件期間，同時對所述周邊元件的區域內的所述基底與所述邊界虛擬存儲器陣列的所述阱區進行第二注入制作工藝，以形成所述周邊元件的阱區并使所述邊界虛擬存儲器陣列的所述阱區的所述摻雜濃度大于所述主存儲器陣列的所述阱區的所述摻雜濃度； 對所述邊界虛擬存儲器陣列的所述阱區進行第三注入制作工藝，以使所述邊界虛擬存儲器陣列的所述阱區的所述摻雜濃度大于所述主存儲器陣列的所述阱區的所述摻雜濃度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人力晶積成電子制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號