京瓷株式會(huì)社西村剛太獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉京瓷株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體元件的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115443519B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202180030661.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件的制造方法是由西村剛太設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-04-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本半導(dǎo)體元件的制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：在本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法中，第一半導(dǎo)體部SL1具有朝向襯底基板UK突出的凸部TS，凸部包含氮化物半導(dǎo)體，凸部與襯底基板接合，半導(dǎo)體基板HK具有位于襯底基板與第一半導(dǎo)體部間的中空部TK，中空部與凸部的側(cè)面相接，且與半導(dǎo)體基板的外部相通，在將第一半導(dǎo)體部從半導(dǎo)體基板分離之前，進(jìn)行激光LZ向凸部TS的照射。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括： 準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序，所述半導(dǎo)體基板具有襯底基板、掩模及第一半導(dǎo)體部，所述掩模位于所述襯底基板上且包含多個(gè)掩模部以及開口部，所述第一半導(dǎo)體部包含位于所述開口部且與所述襯底基板連接的朝下的凸部、及位于各掩模部上的寬度比所述凸部寬且為低位錯(cuò)密度的低位錯(cuò)部； 對(duì)所述凸部照射激光而使所述凸部脆弱化的工序，所述凸部位于所述多個(gè)掩模部之間，包含氮化物半導(dǎo)體，且具有比所述低位錯(cuò)部小的寬度；以及 使脆弱化后的所述凸部斷裂而將所述第一半導(dǎo)體部從所述襯底基板分離的工序。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人京瓷株式會(huì)社，其通訊地址為：日本京都府；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報(bào)告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報(bào)告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報(bào)告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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