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龍圖騰網獲悉美光科技公司申請的專利包含去耦電容器的微電子裝置，以及相關設備、電子系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113690240B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110439989.6，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權包含去耦電容器的微電子裝置，以及相關設備、電子系統和方法是由王釗文設計研發完成，并于2021-04-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本包含去耦電容器的微電子裝置，以及相關設備、電子系統和方法在說明書摘要公布了：本申請案涉及包含去耦電容器的微電子裝置，以及相關設備、電子系統和方法。一種微電子裝置包括：管芯，其包括前側和與所述前側相對的背側；集成電路系統的一或多個組件，其在所述管芯的基底材料內且在所述管芯的所述前側與所述背側之間；和一或多個去耦電容器，其在所述管芯的所述背側內。所述一或多個去耦電容器包括第一電極、第二電極，和所述第一電極與所述第二電極之間的電介質材料。所述微電子裝置進一步包括第一導電通孔，其包括延伸穿過所述基底材料的傳導材料，所述第一導電通孔與所述一或多個去耦電容器的所述第一電極和所述微電子裝置的所述前側電連通。還描述了背側中包含去耦電容器的相關設備，以及相關電子系統和方法。

本發明授權包含去耦電容器的微電子裝置，以及相關設備、電子系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種微電子裝置，其包括： 管芯，其包括前側和與所述前側相對的背側； 集成電路系統的一或多個組件，其在所述管芯的所述前側與所述背側之間；以及 一或多個去耦電容器，其在位于所述管芯的所述背側上的基底材料內，所述基底材料包括半導體材料，所述一或多個去耦電容器各自包括第一電極、第二電極和在所述第一電極與所述第二電極之間的電介質材料，所述電介質材料包括： 垂直延伸部分，每一垂直延伸部分在所述第一電極的側壁和所述第二電極的附加側壁之間；和 至少一個橫向延伸部分，其在所述第一電極的橫向表面和所述第二電極的橫向表面之間，所述至少一個橫向延伸部分連接所述垂直延伸部分； 第一導電通孔，其包括延伸穿過所述基底材料的傳導材料，所述第一導電通孔與所述一或多個去耦電容器的所述第一電極和所述微電子裝置的所述前側電連通； 重分配線，其與所述一或多個去耦電容器的所述第二電極直接接觸；以及 第二導電通孔，其與重分配線直接接觸且經由所述重分配線與所述一或多個去耦電容器的所述第二電極電連通，所述第二導電通孔延伸穿過所述基底材料的整個垂直厚度，所述第二導電通孔與所述微電子裝置的所述前側電連通。

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