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龍圖騰網(wǎng)獲悉嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112885809B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110263859.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/498；該發(fā)明授權(quán)一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)是由戴志展;王宇航;李申祥設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-03-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)，包括IPM封裝結(jié)構(gòu)本體，所述IPM封裝結(jié)構(gòu)本體主要包括絕緣陶瓷基板及設(shè)置在該緣陶瓷基板上的芯片模塊，且所述絕緣陶瓷基板的上表面與芯片模塊之間包覆設(shè)置有一層層壓箔，該層壓箔對應(yīng)于芯片模塊控制端口、集電極和發(fā)射極的位置上分別開設(shè)有與對應(yīng)芯片或緣陶瓷基板連通的通孔，層壓箔的上表面設(shè)置有一層滲入在通孔內(nèi)并與芯片模塊電性連接的填充銅層，所述填充銅層的上表面蝕刻有排線圖形，填充銅層上覆蓋有一層用于保護(hù)排線圖形的阻焊層；所述緣陶瓷基板上設(shè)置有作為IPM封裝結(jié)構(gòu)本體引腳的焊接點(diǎn)；所述芯片模塊包括驅(qū)動芯片、IGBT芯片及FWD芯片。

本發(fā)明授權(quán)一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種無引線框架的嵌入式IPM封裝結(jié)構(gòu)，包括IPM封裝結(jié)構(gòu)本體，其特征在于：所述IPM封裝結(jié)構(gòu)本體主要包括絕緣陶瓷基板及設(shè)置在該絕緣陶瓷基板上的芯片模塊，且所述絕緣陶瓷基板的上表面與芯片模塊之間包覆設(shè)置有一層層壓箔，該層壓箔對應(yīng)于芯片模塊控制端口、集電極和發(fā)射極的位置上分別開設(shè)有與對應(yīng)芯片或絕緣陶瓷基板連通的通孔，層壓箔的上表面設(shè)置有一層滲入在通孔內(nèi)并與芯片模塊電性連接的填充銅層，所述填充銅層的上表面蝕刻有排線圖形，填充銅層上覆蓋有一層用于保護(hù)排線圖形的阻焊層；所述絕緣陶瓷基板上設(shè)置有作為IPM封裝結(jié)構(gòu)本體引腳的焊接點(diǎn)。

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