中國科學院上海技術物理研究所王旭東獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院上海技術物理研究所申請的專利原子級逐層蒸發制備二維半導體單晶金屬接觸方法及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120500072B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510983258.6，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權原子級逐層蒸發制備二維半導體單晶金屬接觸方法及應用是由王旭東;柳暢;張瑩;伍帥琴;沈宏;林鐵;孟祥建;褚君浩;王建祿設計研發完成，并于2025-07-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本原子級逐層蒸發制備二維半導體單晶金屬接觸方法及應用在說明書摘要公布了：本發明公開了原子級逐層蒸發制備二維半導體單晶金屬接觸方法及應用，屬于二維半導體晶體管接觸工程領域，對比傳統的連續蒸鍍而言，該工藝通過范德華（vdW）外延，在原子級光滑的二維半導體上成功制備單晶金屬，用于改善晶體管的金?半接觸，提升晶體管整體性能。該方法采用工業兼容的分步蒸鍍工藝，在單層二維半導體（如MoS2或WSe2）上原位沉積鉍（Bi）、銀（Ag）、銦（In）等單晶金屬，利用每步約0.5nm的低劑量和超穩定沉積條件，最大程度地減少“高能”沉積帶來的物理損傷，抑制晶粒無序生長，使原子能夠自由遷移、均勻成核，并逐層范德華外延成單晶。
本發明授權原子級逐層蒸發制備二維半導體單晶金屬接觸方法及應用在權利要求書中公布了：1.原子級逐層蒸發制備二維半導體單晶金屬接觸方法，其特征在于，包括以下步驟： （1）制備二維半導體襯底：通過化學氣相沉積法或機械剝離法在SiSiO2襯底上獲得單層或多層二維半導體材料； （2）將所述襯底置于高真空熱蒸發腔體中； （3）采用分步蒸發工藝沉積目標金屬，每步沉積厚度為0.5nm，每步完成后暫停5分鐘以恢復腔體溫度和壓強至初始穩定狀態； （4）重復步驟（3）直至金屬層達到目標厚度，形成長程有序的單晶金屬薄膜，并與二維半導體形成原子級平整的范德華接觸界面。
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