復旦大學張衛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉復旦大學申請的專利基于半浮柵的像素器件及其制造方法、圖像傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120475792B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510976307.3，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權基于半浮柵的像素器件及其制造方法、圖像傳感器是由張衛;徐航;楊雅芬;孫清清;郭劍斌設計研發完成，并于2025-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于半浮柵的像素器件及其制造方法、圖像傳感器在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于半浮柵的像素器件及其制造方法、圖像傳感器，包括深阱和溝槽晶體管；溝槽晶體管的有源區與深阱緊鄰，源極位于有源區的頂部表面，且通過半浮柵與深阱相隔開；漏極位于深阱遠離有源區的一側頂部表面；半浮柵覆蓋深阱的部分表面，部分嵌入所述有源區，通過第一氧化層與深阱的側壁和有源區相隔開。通過深阱作為光電二極管，使得在深阱暴露于光源時載流子產生光電流，空穴被半浮柵收集引起電勢發生變化，進而得到光照信息。該像素器件通過單個晶體管即可實現單個像素的全部操作，有效提高了像素感光面積，且該像素器件的制造工藝與標準CMOS技術完全兼容，解決了如何在現有CMOS制造工藝的基礎上制造具有強光響應的1T像素器件的問題。
本發明授權基于半浮柵的像素器件及其制造方法、圖像傳感器在權利要求書中公布了：1.一種基于半浮柵的像素器件，其特征在于，包括形成于兩個相鄰淺槽隔離之間的深阱和溝槽晶體管；所述溝槽晶體管包括有源區、源極、漏極、半浮柵和控制柵；所述有源區與所述深阱緊鄰；所述源極位于所述有源區的頂部表面，且通過所述半浮柵與所述深阱相隔開；所述漏極位于所述深阱遠離所述有源區的一側頂部表面；所述半浮柵覆蓋所述深阱的部分表面，并部分嵌入所述有源區，且通過第一氧化層與所述深阱的側壁和所述有源區相隔開；所述半浮柵頂部表面依次形成有第二氧化層和所述控制柵。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人復旦大學，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區邯鄲路220號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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