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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利一種半導體結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005736B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111139465.1，技術領域涉及：H01L21/027；該發明授權一種半導體結構的制備方法是由游凱設計研發完成，并于2021-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體結構的制備方法在說明書摘要公布了：本申請實施例涉及一種半導體結構的制備方法及半導體結構。包括：在硬掩模層上形成第一圖案化層，第一圖案化層包括第一芯軸以及第二芯軸，第一圖案化層基于集成電路的布局形成，集成電路的布局被分解為芯軸區域和非芯軸區域，芯軸區域用于反映布局的特征尺寸，第一芯軸間隔填充于所述芯軸區域，第二芯軸設置于所述非芯軸區域；在第一芯軸的側壁以及第二芯軸的側壁形成側壁沉積物，側壁沉積物在硬掩膜層上形成第二圖案化層；刻蝕第一芯軸與第二芯軸；基于第二圖案化層對硬掩膜層進行圖案化，以在硬掩膜層內部被圖案化的區域上形成第一溝槽；刻蝕第二圖案化層，在第一溝槽內形成填充金屬層。采用本申請，能夠有效提高機臺對半導體結構的對準精度。

本發明授權一種半導體結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述半導體結構包括襯底、硬掩模層、第一圖案化層、第二圖案化層以及填充金屬層，其中，所述硬掩模層沉積于所述襯底上； 所述制備方法包括： 在所述硬掩模層上形成所述第一圖案化層，所述第一圖案化層包括第一芯軸以及第二芯軸，所述第一圖案化層基于集成電路的布局形成，所述集成電路的布局被分解為芯軸區域和非芯軸區域，所述芯軸區域用于反映布局的特征尺寸，所述第一芯軸間隔填充于所述芯軸區域，所述第二芯軸設置于所述非芯軸區域； 在所述第一芯軸的側壁以及所述第二芯軸的側壁形成側壁沉積物，所述側壁沉積物在所述硬掩模層上形成第二圖案化層； 刻蝕所述第一芯軸與所述第二芯軸； 基于所述第二圖案化層對所述硬掩模層進行圖案化，以在所述硬掩模層內部被圖案化的區域上形成第一溝槽； 刻蝕所述第二圖案化層，在所述第一溝槽內形成填充金屬層； 其中，所述芯軸區域設有多個沿第一方向間隔排布的所述第一芯軸，所述非芯軸區域設有多個沿所述第一方向間隔排布的所述第二芯軸； 所述芯軸區域與所述非芯軸區域沿第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向相交。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430205 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。