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龍圖騰網(wǎng)獲悉美光科技公司申請(qǐng)的專利形成半導(dǎo)體裝置的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114078782B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110652980.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)形成半導(dǎo)體裝置的方法是由祐川光成;中村吉孝設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本形成半導(dǎo)體裝置的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及形成半導(dǎo)體裝置的方法。一種方法，包含形成第一構(gòu)件，所述第一構(gòu)件具有其中包含多個(gè)存儲(chǔ)電容器的第一部分和圍繞所述第一部分的第二部分；形成具有第三部分和圍繞所述第三部分的第四部分的凹形的第二構(gòu)件，所述第三部分對(duì)應(yīng)于所述凹形的下頂表面，所述第三部分在其中包含對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)存儲(chǔ)電容器設(shè)置的多個(gè)存取晶體管，所述第四部分對(duì)應(yīng)于所述凹形的上頂表面；將所述第一構(gòu)件堆疊在所述第二構(gòu)件上以物理地連接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之間具有間隙；切割所述第一構(gòu)件以將所述第一部分與所述第二部分物理分離；以及接合分離的所述第一部分和所述第三部分，并填充其間的所述間隙。

本發(fā)明授權(quán)形成半導(dǎo)體裝置的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種方法，其包括： 形成第一構(gòu)件，所述第一構(gòu)件具有其中包含多個(gè)存儲(chǔ)電容器的第一部分和圍繞所述第一部分的第二部分； 形成具有第三部分和圍繞所述第三部分的第四部分的凹形的第二構(gòu)件，所述第三部分對(duì)應(yīng)于所述凹形的下頂表面，所述第三部分在其中包含對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)存儲(chǔ)電容器設(shè)置的多個(gè)存取晶體管，所述第四部分對(duì)應(yīng)于所述凹形的上頂表面； 將所述第一構(gòu)件堆疊在所述第二構(gòu)件上以物理地連接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之間具有間隙； 切割所述第一構(gòu)件以將所述第一部分與所述第二部分物理分離；以及 接合分離的所述第一部分和所述第三部分，并填充其間的所述間隙。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人美光科技公司，其通訊地址為：美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。