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龍圖騰網(wǎng)獲悉芯恩(青島)集成電路有限公司申請的專利一種CMOS器件的接觸孔刻蝕方法及CMOS器件制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114843221B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110140864.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)一種CMOS器件的接觸孔刻蝕方法及CMOS器件制造方法是由季明華;孟昭生;張顯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-02向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種CMOS器件的接觸孔刻蝕方法及CMOS器件制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種CMOS器件的接觸孔刻蝕方法及CMOS器件制造方法，在經(jīng)前端工藝形成器件層之后，在器件層的柵極和有源區(qū)上形成刻蝕停止層，在該刻蝕停止層上形成碳帽層，或者在刻蝕停止層中離子注入碳在刻蝕停止層表層形成富碳層，然后在刻蝕停止層上形成層間介質(zhì)層。由于刻蝕停止層上方碳帽層或者富碳層的存在，當(dāng)刻蝕至深度較淺的刻蝕停止層時(shí)，會(huì)在該刻蝕停止層中形成大量聚合物，該聚合物會(huì)保護(hù)刻蝕停止層被進(jìn)一步刻蝕。因此在后續(xù)深度較深的接觸孔的刻蝕過程中，能夠有效保護(hù)深度較淺的接觸孔不會(huì)出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象，直至深度較深的接觸孔刻蝕完成。避免出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象，同時(shí)也能保證深度較深的接觸孔能夠充分刻蝕，避免出現(xiàn)刻蝕不足的現(xiàn)象。

本發(fā)明授權(quán)一種CMOS器件的接觸孔刻蝕方法及CMOS器件制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種CMOS器件的接觸孔刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟： 在襯底上形成器件層，所述器件層包括柵極及有源區(qū)，所述柵極及所述有源區(qū)位于不同的深度平面上； 在所述柵極及有源區(qū)上方形成刻蝕停止層，所述刻蝕停止層為含碳的刻蝕停止層，所述刻蝕停止層包括含碳層，所述含碳層的厚度小于等于1nm； 在所述刻蝕停止層上方形成層間介質(zhì)層； 刻蝕所述層間介質(zhì)層，直至在所述刻蝕停止層上方形成接觸孔，含C、F的刻蝕氣體作用在接觸孔底部的含碳的所述刻蝕停止層，形成碳基聚合物，以阻止刻蝕的進(jìn)一步進(jìn)行； 去除刻蝕過程中在所述接觸孔底部形成的碳基聚合物； 繼續(xù)刻蝕所述刻蝕停止層直至在所述柵極和有源區(qū)上方形成接觸孔。

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