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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京大學(xué)申請的專利一種二維光子晶體微腔獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114725774B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011522285.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/10；該發(fā)明授權(quán)一種二維光子晶體微腔是由彭超;陳子豪設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種二維光子晶體微腔在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種二維光子晶體微腔，包括：第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及設(shè)置在所述第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的光子晶體層；所述光子晶體層設(shè)有周期性排列的圓柱通孔，所述圓柱通孔垂直于所述第一介質(zhì)層及第二介質(zhì)層；所述光子晶體層包括中心區(qū)域和外圍區(qū)域；所述中心區(qū)域包括Na×Na個圓柱通孔，其中，Na為大于等于1的正整數(shù)；所述外圍區(qū)域包裹所述中心區(qū)域，用于抑制二維光子晶體微腔中能量從外圍區(qū)域泄漏或控制二維光子晶體微腔中能量向外圍區(qū)域輻射。本發(fā)明的光子晶體微腔具有較高的品質(zhì)因數(shù)和優(yōu)異的光學(xué)性能，尺寸非常小便于光器件集成。同時，對于加工中的工藝誤差具有良好的魯棒性，便于規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。

本發(fā)明授權(quán)一種二維光子晶體微腔在權(quán)利要求書中公布了：1.一種二維光子晶體微腔，其特征在于，包括：第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及設(shè)置在所述第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間的光子晶體層； 所述光子晶體層設(shè)有周期性排列的圓柱通孔，所述圓柱通孔垂直于所述第一介質(zhì)層及第二介質(zhì)層； 所述光子晶體層包括中心區(qū)域和外圍區(qū)域；所述中心區(qū)域包括Na×Na個圓柱通孔，其中，Na為大于等于1的正整數(shù)；所述外圍區(qū)域包裹所述中心區(qū)域，用于抑制二維光子晶體微腔中能量從外圍區(qū)域泄漏或控制二維光子晶體微腔中能量向外圍區(qū)域輻射；所述二維光子晶體微腔中心波長的禁帶可通過改變所述外圍區(qū)域中相鄰圓柱通孔的距離、所述外圍區(qū)域中圓柱通孔的半徑以及所述外圍區(qū)域與所述中心區(qū)域之間的間隔中的至少一者而形成。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京大學(xué)，其通訊地址為：100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。