買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉硅存儲技術股份有限公司申請的專利具有鰭式場效應晶體管結構的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114446972B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011193113.X，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權具有鰭式場效應晶體管結構的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法是由宋國祥;王春明;邢精成;X·劉;N·多設計研發完成，并于2020-10-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有鰭式場效應晶體管結構的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明題為具有鰭式場效應晶體管結構的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法。本發明公開了一種在半導體襯底的上表面的鰭上形成存儲器單元、高壓器件和邏輯器件的方法，以及由此形成的存儲器器件。存儲器單元形成在一對鰭上，其中浮柵設置在該對鰭之間，字線柵圍繞在該對鰭周圍，控制柵設置在該浮柵上方，并且擦除柵設置在該對鰭上方并部分地設置在該浮柵上方。高壓器件包括圍繞在相應鰭周圍的HV柵，并且邏輯器件包括邏輯柵，該邏輯柵為金屬并圍繞在相應的鰭周圍。

本發明授權具有鰭式場效應晶體管結構的分裂柵非易失性存儲器單元、HV和邏輯器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種存儲器設備，包括： 半導體襯底，所述半導體襯底具有上表面，所述上表面具有多個鰭，其中所述鰭中的每個鰭向上延伸并包括彼此相反并且終止于頂表面的第一側表面和第二側表面； 存儲器單元，所述存儲器單元形成在所述多個鰭中的第一鰭和第二鰭上，所述存儲器單元包括： 第一溝道區，所述第一溝道區沿著所述第一鰭的所述頂表面和所述相反的側表面在所述第一鰭的源極區與所述第一鰭的第一漏極區之間延伸， 第二溝道區，所述第二溝道區沿著所述第一鰭的所述頂表面和所述相反的側表面在所述第一鰭的所述第一漏極區與所述第一鰭的第二漏極區之間延伸， 第三溝道區，所述第三溝道區沿著所述第二鰭的所述頂表面和所述相反的側表面在所述第二鰭的源極區與所述第二鰭的第一漏極區之間延伸， 第四溝道區，所述第四溝道區沿著所述第二鰭的所述頂表面和所述相反的側表面在所述第二鰭的所述第一漏極區與所述第二鰭的第二漏極區之間延伸， 浮柵，所述浮柵設置在所述第一鰭與所述第二鰭之間，并且沿著所述第一溝道區的第一部分和所述第三溝道區的第一部分延伸， 控制柵，所述控制柵沿著所述浮柵延伸并與所述浮柵絕緣， 擦除柵，所述擦除柵具有與所述浮柵橫向相鄰的第一部分和設置在所述浮柵上方的第二部分，其中所述擦除柵的所述第一部分沿著所述第一鰭和所述第二鰭的所述頂表面延伸并與所述第一鰭和所述第二鰭的所述頂表面絕緣，并沿著所述第一溝道區的第二部分和所述第三溝道區的第二部分延伸并與所述第一溝道區的第二部分和所述第三溝道區的第二部分絕緣，和 字線柵，所述字線柵沿著所述第二溝道區和所述第四溝道區延伸，其中所述字線柵沿著所述第一鰭和所述第二鰭的所述第一側表面、所述第二側表面和所述頂表面延伸并且與所述第一鰭和所述第二鰭的所述第一側表面、所述第二側表面和所述頂表面絕緣，以用于控制從所述第一鰭的所述第一漏極區到所述第一鰭的所述第二漏極區的所述第二溝道區的導電性，并用于控制從所述第二鰭的所述第一漏極區到所述第二鰭的所述第二漏極區的所述第四溝道區的導電性， 高壓（HV）器件，所述高壓器件形成在所述多個鰭中的第三鰭上，所述高壓器件包括： HV溝道區，所述HV溝道區沿著所述第三鰭的所述頂表面和所述相反的側表面在所述第三鰭的HV源極區與所述第三鰭的HV漏極區之間延伸，和 HV柵，所述HV柵沿著所述HV溝道區延伸，其中所述HV柵沿著所述第三鰭的所述第一側表面、所述第二側表面和所述頂表面延伸并且與所述第三鰭的所述第一側表面、所述第二側表面和所述頂表面絕緣；和 邏輯器件，所述邏輯器件形成在所述多個鰭的第四鰭上，所述邏輯器件包括： 邏輯溝道區，所述邏輯溝道區沿著所述第四鰭的所述頂表面和所述相反的側表面在所述第四鰭的邏輯源極區與所述第四鰭的邏輯漏極區之間延伸，和 邏輯柵，所述邏輯柵沿著所述邏輯溝道區延伸，其中所述邏輯柵沿所述第四鰭的所述第一側表面、所述第二側表面和所述頂表面延伸并且與所述第四鰭的所述第一側表面、所述第二側表面和所述頂表面絕緣。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人硅存儲技術股份有限公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。