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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114121797B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010889893.5，技術領域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由曹志軍設計研發(fā)完成，并于2020-08-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括目標層，所述基底包括用于形成目標圖形的目標區(qū)和與切割位置對應的切割區(qū)；在所述基底上形成分立的核心層；在所述核心層的側(cè)壁上形成偽側(cè)墻；在所述偽側(cè)墻和核心層露出的目標層上形成填充層；刻蝕位于所述目標區(qū)的偽側(cè)墻，在所述填充層和核心層之間形成溝槽；在所述溝槽中形成掩膜側(cè)墻；去除所述核心層和填充層；以所述掩膜側(cè)墻為掩膜，去除位于所述切割區(qū)的偽側(cè)墻；以所述掩膜側(cè)墻為掩膜，圖形化所述目標層，形成目標圖形。本發(fā)明實施例有利于增大去除位于所述切割區(qū)的偽側(cè)墻的工藝窗口。

本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括目標層，所述基底包括用于形成目標圖形的目標區(qū)和與切割位置對應的切割區(qū)； 在所述基底上形成分立的核心層； 在所述核心層的側(cè)壁上形成偽側(cè)墻； 在所述偽側(cè)墻和核心層露出的目標層上形成填充層； 刻蝕位于所述目標區(qū)的偽側(cè)墻，在所述填充層和核心層之間形成溝槽； 在所述溝槽中形成掩膜側(cè)墻，所述偽側(cè)墻與所述掩膜側(cè)墻之間具有刻蝕選擇比； 去除所述核心層和填充層； 以所述掩膜側(cè)墻為掩膜，去除位于所述切割區(qū)的偽側(cè)墻； 以所述掩膜側(cè)墻為掩膜，圖形化所述目標層，形成目標圖形。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。