應用材料公司特金德·辛格獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉應用材料公司申請的專利圖案化金屬氧化物光刻膠的劑量減量獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114223050B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080055591.6,技術領域涉及:H01L21/027;該發明授權圖案化金屬氧化物光刻膠的劑量減量是由特金德·辛格;閻俐凡;阿卜希吉特·B·馬爾利克;丹尼爾·李·迪爾;和勇·黃;喬斯林甘·羅摩林甘設計研發完成,并于2020-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本圖案化金屬氧化物光刻膠的劑量減量在說明書摘要公布了:本公開內容的多個實施方式一般涉及用作極紫外EUV平板印刷術中的掩模的多層堆疊物和用于形成多層堆疊物的方法。在一個實施方式中,方法包括以下步驟:在膜堆疊物之上形成碳層,通過物理氣相沉積PVD工藝在碳層上形成富金屬氧化物層,在富金屬氧化物層上形成金屬氧化物光刻膠層,和圖案化金屬氧化物光刻膠層。金屬氧化物光刻膠層不同于富金屬氧化物層,且通過與PVD工藝不同的工藝形成金屬氧化物光刻膠層。通過PVD工藝形成的富金屬氧化物層改善了金屬氧化物光刻膠層的黏附力,并在EUV平板印刷期間增加次級電子,從而導致EUV劑量能量減少。
本發明授權圖案化金屬氧化物光刻膠的劑量減量在權利要求書中公布了:1.一種用于形成多層堆疊物的方法,包括以下步驟: 在膜堆疊物上形成第一層,所述第一層包含含碳層; 通過物理氣相沉積工藝在所述第一層上形成第二層,所述第二層包含富金屬氧化物層,其中所述富金屬氧化物層的金屬對氧化物比率為化學計量的金屬對氧化物比率的1.5倍或更高;和 在所述第二層上形成金屬氧化物光刻膠層,所述金屬氧化物光刻膠層包含與所述第二層不同的材料, 其中所述第二層改善所述金屬氧化物光刻膠層對所述第二層的黏合性, 其中所述金屬氧化物光刻膠層包括分子金屬氧化物簇核,每個核具有多個輻射敏感配體。
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