買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請的專利一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113725291B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010446398.7，技術領域涉及：H10D10/60；該發(fā)明授權一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法是由王海濤;周曉君設計研發(fā)完成，并于2020-05-25向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，P阱；位于P阱上的N+區(qū)；位于N+區(qū)上的阻擋層結(jié)構(gòu)，該阻擋層結(jié)構(gòu)為環(huán)繞N+區(qū)外圍的框型結(jié)構(gòu)；阻擋層結(jié)構(gòu)內(nèi)的區(qū)域為BJT器件的發(fā)射區(qū)；發(fā)射區(qū)的所述N+區(qū)上設有多個相互間隔排布的STI區(qū)，P阱的上表面高于STI區(qū)的底部；位于發(fā)射區(qū)外圍的基區(qū)；位于基區(qū)外圍的集電區(qū)。本發(fā)明的BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，具有以下有益效果：本發(fā)明的BJT器件結(jié)構(gòu)由于發(fā)射區(qū)的STI區(qū)為不連續(xù)的結(jié)構(gòu)，可以顯著降低發(fā)射區(qū)和基區(qū)的復合電流。從而有效的提高BJT器件的放大系數(shù)。

本發(fā)明授權一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種BJT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)至少包括： P阱；位于所述P阱上的N+區(qū)；位于所述N+區(qū)上的阻擋層結(jié)構(gòu)，該阻擋層結(jié)構(gòu)為環(huán)繞所述N+區(qū)外圍的框型結(jié)構(gòu)；所述阻擋層結(jié)構(gòu)內(nèi)的區(qū)域為所述BJT器件的發(fā)射區(qū)；所述發(fā)射區(qū)的所述N+區(qū)上設有多個相互間隔排布的STI區(qū)，所述P阱的上表面高于所述STI區(qū)的底部；所述多個相互間隔排布的STI區(qū)其橫截面形狀為多個相互間隔排布的條形結(jié)構(gòu)，所述多個條形結(jié)構(gòu)等間隔排布于所述阻擋層結(jié)構(gòu)內(nèi)； 位于所述發(fā)射區(qū)外圍的基區(qū)； 位于所述基區(qū)外圍的集電區(qū)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.gztjhr.cn/list?keyword=%E4%B8%8A%E6%B5%B7%E5%8D%8E%E5%8A%9B%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%88%B6%E9%80%A0%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)康橋東路298號1幢1060室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。