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龍圖騰網(wǎng)獲悉泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司申請的專利一種肖特基二極管及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110610982B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910814838.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種肖特基二極管及其制備方法是由宋安英;張瑜潔;劉剛;單體偉;陳彤設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-08-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種肖特基二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種肖特基二極管包括：一N+襯底和位于所述N+襯底之上的N?外延層；一肖特基金屬層單元，所述肖特基金屬層單元覆蓋于所述N?外延層表面，所述肖特基金屬層單元包括復(fù)數(shù)層肖特基金屬層，且相鄰兩層的肖特基金屬層的金屬不同；一位于所述肖特基金屬層單元之上的陽極金屬；以及，一位于所述N+襯底另一表面的陰極金屬；本發(fā)明還提供一種肖特基二極管的制備方法，可以相對靈活地調(diào)整肖特基勢壘，得到理想的正向壓降和可接受的反向漏電流。

本發(fā)明授權(quán)一種肖特基二極管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種肖特基二極管，其特征在于：包括： 一N+襯底和位于所述N+襯底之上的N-外延層，所述N-外延層上間隔設(shè)有復(fù)數(shù)個p+注入?yún)^(qū)； 一肖特基金屬層單元，所述肖特基金屬層單元覆蓋于所述N-外延層表面，所述肖特基金屬層單元包括多層肖特基金屬層，相鄰兩層肖特基金屬層的金屬功函數(shù)不同，所述多層為大于兩層；其中，奇數(shù)層的肖特基金屬的金屬功函數(shù)小于偶數(shù)層肖特基金屬的金屬功函數(shù)； 正向?qū)〞r，電子流經(jīng)肖特基接觸區(qū)域，即為金屬與碳化硅外延層接觸的肖特基接觸區(qū)域?qū)щ姡驂航礦 F公式：； 其中V F為正向壓降，φ B為肖特基勢壘；當(dāng)半導(dǎo)體-金屬界面處的肖特基勢壘降低后，V F也降低，從而使二極管的功耗減小；而肖特基勢壘是金屬功函數(shù)與半導(dǎo)體親和勢的差值，在半導(dǎo)體材料確定的情況下，通過改變金屬種類改變肖特基勢壘，為了得到較低的肖特基勢壘φ B，采用功函數(shù)小的金屬作為直接與半導(dǎo)體接觸的第一肖特基金屬； 正向壓降和反向漏電是一對呈現(xiàn)制約關(guān)系的物理量，肖特基勢壘太低同時意味著反向漏電流的增大，反向漏電流I R公式：； 隨著反向偏壓V R的增大，鏡像力降低效應(yīng)將進(jìn)一步降低肖特基勢壘，使反向漏電流增加；此時需要功函數(shù)大的金屬，調(diào)節(jié)肖特基勢壘至合適的大小，作為第二肖特基金屬；根據(jù)需求、正向壓降V F公式以及反向漏電流I R公式，選擇所需的第一肖特基金屬和第二肖特基金屬；所述肖特基金屬層單元的厚度為150~250nm； 一位于所述肖特基金屬層單元之上的陽極金屬； 以及，一位于所述N+襯底另一表面的陰極金屬。

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