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龍圖騰網(wǎng)獲悉弗薩姆材料美國(guó)有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專(zhuān)利在含硅表面上的選擇性沉積獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112602169B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201980056149.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)在含硅表面上的選擇性沉積是由R·M·皮爾斯坦設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-08-23向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本在含硅表面上的選擇性沉積在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種用于選擇性鈍化襯底表面的方法，其中所述襯底表面包括包含氮化硅的至少第一表面和包含除氮化硅以外的材料的至少第二表面。該方法包括將表面暴露于至少一種有機(jī)異氰酸酯的步驟，其中所述有機(jī)異氰酸酯選擇性地與氮化硅反應(yīng)以使第一表面鈍化，從而保留第二表面基本上未反應(yīng)。

本發(fā)明授權(quán)在含硅表面上的選擇性沉積在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于選擇性鈍化襯底表面的方法，其中所述襯底表面包括包含氮化硅的至少第一表面和包含除氮化硅以外的材料的至少第二表面，該方法包括以下步驟： a.任選地，用氫等離子體或氨等離子體處理所述襯底表面；和 b.將所述襯底表面暴露于包含至少一種具有根據(jù)式I的結(jié)構(gòu)的有機(jī)異氰酸酯的蒸氣： R-N=C=OI， 其中R選自H、取代或未取代的C1-C18直鏈烷基、取代或未取代的支鏈C3-C18烷基、取代或未取代的C3-C8環(huán)烷基、取代或未取代的C3-C10雜環(huán)基、取代或未取代的C3-C18烯基、取代或未取代的C4-C18芳基、取代或未取代的C5-C20芳基烷基和取代或未取代的C3-C10炔基，其中所述至少一種有機(jī)異氰酸酯選擇性地與所述氮化硅反應(yīng)以鈍化所述第一表面，從而保留所述第二表面未反應(yīng)。

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