西北工業大學成來飛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西北工業大學申請的專利一種氮化硅閉氣孔隔熱陶瓷的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117024156B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310847012.7，技術領域涉及：C04B35/587；該發明授權一種氮化硅閉氣孔隔熱陶瓷的制備方法是由成來飛;葉昉;楊宏珂;趙凱;張立同設計研發完成，并于2023-07-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種氮化硅閉氣孔隔熱陶瓷的制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種氮化硅閉氣孔隔熱陶瓷的制備方法，包括以下步驟：將30～90vol.％的Si3N4中空微球和10～70vol.％的Si粉混合得到混粉，再與無水乙醇混合后均勻填充到模具中加壓形成Si3N4陶瓷素坯；將Si3N4陶瓷素坯直接放入氮化爐中，以N2作為反應氣，保持氣流量為60～100mlmin，從室溫升溫至1100～1200℃后緩慢升溫至1350～1450℃保溫4～6h，冷卻得到預強化的Si3N4陶瓷預制體；對預強化的Si3N4陶瓷預制體進行先驅體浸漬裂解致密化處理，得到Si3N4閉氣孔隔熱陶瓷。本發明解決了目前Si3N4陶瓷介電常數偏高，熱導率和密度相對較大的問題。
本發明授權一種氮化硅閉氣孔隔熱陶瓷的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化硅閉氣孔隔熱陶瓷的制備方法，包括以下步驟： 步驟1：Si3N4陶瓷素坯成型：將30～90vol.%的Si3N4中空微球和10～70vol.%的Si粉混合得到混粉，再將混粉和無水乙醇混合形成均勻的粉體；將粉體均勻填充到模具中，加壓形成Si3N4陶瓷素坯； 步驟2：Si3N4陶瓷素坯的預強化：將Si3N4陶瓷素坯直接放入氮化爐中，以N2作為反應氣，保持氣流量為60～100mlmin，以10℃min的升溫速度從室溫升溫至1100～1200℃后緩慢升溫至1350～1450℃保溫4～6h，冷卻后得到預強化的Si3N4陶瓷預制體； 步驟3：對預強化的Si3N4陶瓷預制體進行先驅體浸漬裂解致密化處理，得到Si3N4閉氣孔隔熱陶瓷，其中裂解氣氛為NH3氣氛； 所述Si3N4閉氣孔隔熱陶瓷的體積密度為2.106gcm3，開氣孔率為27-30%，閉氣孔率為16.69%，在室溫下的熱導率為1.21Wm·k。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西北工業大學，其通訊地址為：710072 陜西省西安市友誼西路127號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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