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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種基于缺陷地結構的移相器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116487842B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310492848.X，技術領域涉及：H01P1/18；該發明授權一種基于缺陷地結構的移相器是由李璐;錢慧珍設計研發完成，并于2023-05-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于缺陷地結構的移相器在說明書摘要公布了：本發明公開一種基于缺陷地結構的移相器，該移相器包括介質基板、缺陷地結構以及微帶結構；缺陷地結構設置在介質基板的一側；微帶結構設置在所述介質基板背離所述缺陷地結構的一側，所述微帶結構為邊緣耦合結構；所述微帶結構和所述缺陷地結構共同限定出所述缺陷地結構在工作頻率下的阻抗匹配；由于缺陷地結構能夠改變微帶線的分布電感和分布電容，具有慢波效應，可實現移相器的小型化；同時微帶結構為形成邊緣耦合結構，能夠優化工作頻率下的阻抗匹配，實現較寬的帶寬范圍，以實現移相器的良好的S參數。

本發明授權一種基于缺陷地結構的移相器在權利要求書中公布了：1.一種基于缺陷地結構的移相器，其特征在于，包括： 介質基板； 缺陷地結構，設置在介質基板的一側； 微帶結構，設置在所述介質基板背離所述缺陷地結構的一側，且所述微帶結構為邊緣耦合結構； 其中，所述微帶結構和所述缺陷地結構共同限定出所述缺陷地結構在工作頻率下的阻抗匹配； 所述微帶結構包括相互對稱設置的第一微帶線和第二微帶線，所述第一微帶線以及所述第二微帶線均為T型結構，所述第一微帶線與所述第二微帶線形成邊緣耦合結構； 所述第一微帶線包括相互連接的第一子微帶線和第二子微帶線，所述第一子微帶線與所述第二子微帶線相互垂直；所述第二微帶線包括相互連接的第三子微帶線和第四子微帶線，所述第三子微帶線和所述第四子微帶線相互垂直； 其中，所述第二子微帶線和所述第三子微帶線相互平行設置，且第二子微帶線與所述第三子微帶線間隔設置，且所述第二子微帶線與所述第三子微帶線形成邊緣耦合結構；所述第一子微帶線設置在所述第二子微帶線背離所述第三子微帶線的一側，所述第四子微帶線設置在所述第三子微帶線背離所述第二子微帶線的一側； 所述微帶結構具有右極點，所述第二子微帶線的長度與所述右極點的頻率成反比；所述第三子微帶線的寬度與所述右極點的頻率成反比； 所述缺陷地結構的兩側設置有凹陷部，至少部分所述凹陷部與所述第一子微帶線以及所述第四子微帶線重疊，且所述凹陷部的寬度與所述第一子微帶線和或所述第四子微帶線的寬度相同； 所述凹陷部具有底壁，兩側的所述凹陷部的底壁之間的第一距離與所述右極點的頻率成反比。

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