復旦大學黃海獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉復旦大學申請的專利一種基于二維離子導電體的閾值轉變器件及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116249440B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310267640.8，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種基于二維離子導電體的閾值轉變器件及制備方法是由黃海;鐘志鵬;褚君浩設計研發完成，并于2023-03-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于二維離子導電體的閾值轉變器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于阻變存儲器件技術領域，具體為一種基于二維離子導電體的閾值轉變器件及其制備方法。本發明器件自上而下依次為襯底、氧化物層、底電極、二維離子導電體功能層、少層石墨烯、頂電極；其中，氧化層為SiO2,底電極為Cr和Cu電極，二維離子導電體功能層為銅基磷硫酸鹽，頂電極為Cr和Au電極。本發明通過引入銅電極與銅基磷硫酸鹽以及石墨烯形成范德華異質結；通過施加電壓控制銅基磷硫酸鹽中銅離子的耗盡與積累，從而實現穩定的閾值阻變行為。銅電極的引入增加了銅離子的濃度梯度，使得功能層在電壓降低時能通過銅離子擴散從低阻態恢復到高阻態。該閾值轉變器件具有良好的穩定性和抗疲勞特性、較高的開關比以及超小亞閾值擺幅等特點。
本發明授權一種基于二維離子導電體的閾值轉變器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于二維離子導電體的閾值轉變器件，其特征在于，結構自下而上依次為襯底、氧化物層、底電極、二維離子導電體功能層、少層石墨烯、頂電極；其中： 所述襯底為重摻雜的p型Si襯底； 所述氧化物層為SiO2,厚度為285±15納米； 所述底電極為Cr和Cu電極，Cr厚度為5-10納米，Cu厚度為30-40納米； 所述二維離子導電體功能層為銅基磷硫酸鹽，厚度為10-15納米； 所述少層石墨烯厚度為8-15納米； 所述頂電極為Cr和Au電極，Cr厚度為5-10納米，Au厚度為50-60納米。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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