中國科學院微電子研究所宋楨獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利一種光刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116125761B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310149749.1，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權一種光刻方法是由宋楨;韋亞一;張利斌設計研發完成，并于2023-02-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光刻方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種光刻方法，該方法包括：獲取待刻蝕結構，待刻蝕結構之上具有光刻涂層，光刻涂層包括交互堆疊的第一介質層和具有目標厚度的光刻膠層，且光刻涂層中第一介質層的數量比光刻膠層多一層，第一介質層的折射率小于光刻膠層的折射率；根據預設波長的光和具有目標尺寸數據的掩模版，對光刻涂層進行曝光；去除光刻膠層之上的第一介質層，并對光刻膠層進行顯影，得到具有周期性結構的目標光刻膠層，目標光刻膠層用于對待刻蝕結構進行刻蝕。通過上述方法，能夠讓預設波長的光在光刻膠層中實現了超高分辨率的規則的周期性成像效果，從而可以實現超高分辨率的光刻。
本發明授權一種光刻方法在權利要求書中公布了：1.一種光刻方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取待刻蝕結構，所述待刻蝕結構之上具有光刻涂層，所述光刻涂層包括交互堆疊的第一介質層和具有目標厚度的光刻膠層，且所述光刻涂層中所述第一介質層的數量比所述光刻膠層多一層，所述第一介質層的折射率小于所述光刻膠層的折射率； 根據預設波長的光和具有目標尺寸數據的掩模版，對所述光刻涂層進行曝光，所述掩模版和所述待刻蝕結構之間的距離為目標間距，所述目標厚度、所述目標尺寸數據和所述目標間距用于使所述預設波長的光在所述光刻膠層中周期性成像； 去除所述光刻膠層之上的第一介質層，并對所述光刻膠層進行顯影，得到具有周期性結構的目標光刻膠層，所述目標光刻膠層用于對所述待刻蝕結構進行刻蝕。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號中國科學院微電子研究所；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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