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龍圖騰網獲悉華虹半導體(無錫)有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利鍺硅異質結晶體管的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394838B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211134855.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權鍺硅異質結晶體管的制造方法是由劉丙永;陳曦;黃景豐;楊繼業設計研發完成，并于2022-09-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本鍺硅異質結晶體管的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種鍺硅異質結晶體管的制造方法，提供襯底，襯底上形成有STI以定義出有源區，在襯底上形成第一電介質層，在第一電介質層上形成第一多晶硅層，在第一多晶硅層上形成第二電介質層，之后通過光刻、刻蝕去除部分第二電介質層和第一多晶硅層，以形成位于有源區上的第一疊層；在第一電介質層、疊層上形成第三電介質層，打開STI與疊層間的第三電介質層，使得其下方的第一電介質層裸露，之后刻蝕去除裸露的第一電介質層，用以形成第一凹槽；在第一凹槽的底部形成第一外延層，在第一外延層、第三電介質層上形成第四電介質層。本發明的方法只通過自下而上方向的外延即可將SiGe層與柵極層連接起來。

本發明授權鍺硅異質結晶體管的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種鍺硅異質結晶體管的制造方法，其特征在于，至少包括： 步驟一、提供襯底，所述襯底上形成有STI以定義出有源區，在所述襯底上形成第一電介質層，在所述第一電介質層上形成第一多晶硅層，在所述第一多晶硅層上形成第二電介質層，之后通過光刻、刻蝕去除部分所述第二電介質層和所述第一多晶硅層，以形成位于所述有源區上的第一疊層； 步驟二、在所述第一電介質層、所述疊層上形成第三電介質層，打開所述STI與所述疊層間的所述第三電介質層，使得其下方的所述第一電介質層裸露，之后刻蝕去除裸露的所述第一電介質層，用以形成第一凹槽； 步驟三、在所述第一凹槽的底部形成第一外延層，在所述第一外延層、所述第三電介質層上形成第四電介質層，之后刻蝕去除所述第一多晶硅層上方的第二電介質層、所述第三電介質層和所述第四電介質層； 步驟四、在所述第四電介質層上形成第五電介質層，之后去除所述第一多晶硅層以及所述第一多晶硅層下方的所述第一電介質層，用以形成倒T形的第二凹槽； 步驟五、在所述第二凹槽的底部形成第二外延層，在所述第二外延層上形成填充剩余所述第二凹槽的第二多晶硅層以及位于所述第二多晶硅層上的第六電介質層，之后刻蝕部分所述第六電介質層以及其下方的所述第二多晶硅層、所述第五電介質層至所述第四電介質層的表面，用以形成第一器件結構； 步驟六、在所述第一器件結構的表面形成第七電介質層，之后光刻、刻蝕去除部分所述第七電介質層及其下方的所述第四電介質層使得所述第三電介質層裸露； 步驟七、刻蝕去除所述第四電介質層以形成第三凹槽，之后形成填充所述第三凹槽的第三多晶硅層； 步驟八、刻蝕去除裸露的第三電介質層，之后通過光刻、刻蝕去除部分所述第七電介質層及其下方的所述第六電介質層使得所述第二多晶硅層裸露，用以形成第二器件結構。

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