泰科天潤半導體科技(北京)有限公司高遠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種測量功率開關管動態驅動電壓的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115327211B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210896530.3，技術領域涉及：G01R19/165；該發明授權一種測量功率開關管動態驅動電壓的方法是由高遠;陳彤設計研發完成，并于2022-07-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種測量功率開關管動態驅動電壓的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種測量功率開關管動態驅動電壓的方法，包括獲得實測驅動電壓、開關管柵極寄生電阻電壓、測量點間封裝寄生電感電壓；將開關管柵極寄生電阻電壓、測量點間封裝寄生電感電壓從實測驅動電壓中減去，即獲得所需的開關管芯片上實際的驅動電壓；能夠獲得開關管芯片上實際的驅動電壓，確保了測試結果的正確性，提高了測量精度，為器件的動態過程分析提供了正確的數據，該動態過程包含開關過程和串擾，對器件研發和電路應用起到指導作用。
本發明授權一種測量功率開關管動態驅動電壓的方法在權利要求書中公布了：1.一種測量功率開關管動態驅動電壓的方法，其特征在于，具體包括如下步驟： 步驟1、獲得實測驅動電壓、開關管柵極寄生電阻電壓、測量點間封裝寄生電感電壓； 步驟2、將開關管柵極寄生電阻電壓、測量點間封裝寄生電感電壓從實測驅動電壓中減去，即獲得所需的開關管芯片上實際的驅動電壓； 對于非開爾文封裝器件，所述測量點間封裝寄生電感電壓為LSpkg-M和dIDSdt相乘的乘積與LGpkg-M和dIGdt相乘的乘積之和，其中dIDSdt為IDS的時間變化率，dIGdt為IG的時間變化率，其中IG和IDS使用電流探頭、羅氏線圈、電流波形分析儀或采樣電阻中的任一方式測量獲得；LSpkg-M為測量點間源極發射極封裝寄生電感，LGpkg-M測量點間柵極封裝寄生電感，LSpkg-M和LGpkg-M可使用阻抗分析儀測量或電磁仿真軟件仿真獲得。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人泰科天潤半導體科技(北京)有限公司，其通訊地址為：100000 北京市海淀區西小口路66號中關村東升科技園B區1號樓106A、113A、115A、117A、119A、121A；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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