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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所申請(qǐng)的專利圖形化氮化鋁緩沖層的生長(zhǎng)方法及半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115188658B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210876233.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)圖形化氮化鋁緩沖層的生長(zhǎng)方法及半導(dǎo)體器件是由王波;房玉龍;尹甲運(yùn);張志榮;高楠;蘆偉立;李佳;陳宏泰;牛晨亮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-25向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本圖形化氮化鋁緩沖層的生長(zhǎng)方法及半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種圖形化氮化鋁緩沖層的生長(zhǎng)方法及半導(dǎo)體器件。該方法包括：將襯底放入MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)；對(duì)反應(yīng)室內(nèi)的環(huán)境條件進(jìn)行第一次調(diào)整，并向反應(yīng)室內(nèi)通入氫氣、氮?dú)饣驓錃夂偷獨(dú)獾幕旌蠚庾鳛檩d氣，以及向反應(yīng)室內(nèi)通入鋁源、鎵源和氨氣，在襯底上生長(zhǎng)AlGaN層；持續(xù)向反應(yīng)室內(nèi)通入載氣，停止向反應(yīng)室內(nèi)通入鋁源和鎵源，并對(duì)反應(yīng)室內(nèi)的環(huán)境條件進(jìn)行第二次調(diào)整，對(duì)AlGaN層進(jìn)行刻蝕和重結(jié)晶，生成島狀的氮化鋁緩沖。本發(fā)明通過刻蝕破壞AlGaN層中的Ga?N鍵，使得Ga原子從AlGaN層中脫附，并重結(jié)晶成圖形化的AlN緩沖層材料，使得后續(xù)生長(zhǎng)氮化物材料變?yōu)闄M向外延，可以減少外延材料的位錯(cuò)和缺陷密度。

本發(fā)明授權(quán)圖形化氮化鋁緩沖層的生長(zhǎng)方法及半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種圖形化氮化鋁緩沖層的生長(zhǎng)方法，其特征在于，包括： 將襯底放入MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)； 對(duì)所述反應(yīng)室內(nèi)的環(huán)境條件進(jìn)行第一次調(diào)整，并向所述反應(yīng)室內(nèi)通入氫氣、氮?dú)饣驓錃夂偷獨(dú)獾幕旌蠚庾鳛檩d氣，以及向所述反應(yīng)室內(nèi)通入鋁源、鎵源和氨氣，在所述襯底上生長(zhǎng)AlGaN層； 持續(xù)向所述反應(yīng)室內(nèi)通入所述載氣，停止向所述反應(yīng)室內(nèi)通入所述鋁源和所述鎵源，并對(duì)所述反應(yīng)室內(nèi)的環(huán)境條件進(jìn)行第二次調(diào)整，對(duì)所述AlGaN層進(jìn)行刻蝕和重結(jié)晶，生成島狀的氮化鋁緩沖層； 所述對(duì)所述反應(yīng)室內(nèi)的環(huán)境條件進(jìn)行第二次調(diào)整，包括： 將所述反應(yīng)室內(nèi)的溫度調(diào)整至400℃至1500℃，并將所述反應(yīng)室內(nèi)的壓力調(diào)整至50mbar至1000mbar。

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