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龍圖騰網(wǎng)獲悉華北電力大學(xué)申請(qǐng)的專利溶劑蒸發(fā)誘導(dǎo)控制BiI₃薄膜取向制備MA₃Bi₂I₉鈣鈦礦太陽(yáng)電池方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114551731B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210147694.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K71/00；該發(fā)明授權(quán)溶劑蒸發(fā)誘導(dǎo)控制BiI₃薄膜取向制備MA₃Bi₂I₉鈣鈦礦太陽(yáng)電池方法是由姚建曦;許佳;李吉紅;李必萃設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本溶劑蒸發(fā)誘導(dǎo)控制BiI₃薄膜取向制備MA₃Bi₂I₉鈣鈦礦太陽(yáng)電池方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提出一種溶劑蒸發(fā)誘導(dǎo)控制BiI3薄膜取向制備高效MA3Bi2I9鈣鈦礦太陽(yáng)電池方法，首先，通過(guò)將BiI3的DMF前體溶液旋涂到已沉積了TiO2的氟摻雜氧化錫FTO基底上以制備BiI3薄膜，隨后，將制備的BiI3濕膜置于手套箱室溫密閉容器中。由于容器中的密封條件，從濕膜中蒸發(fā)出來(lái)的DMF會(huì)產(chǎn)生DMF氛圍從而大大降低其蒸發(fā)速率。通過(guò)減緩DMF蒸發(fā)成功制備具有113和300擇優(yōu)取向；同時(shí)003晶面弱化的BiI3薄膜。隨后，所制備的BiI3薄膜與MAI反應(yīng)形成MBI薄膜。由于BiI3003晶面的生長(zhǎng)受到限制，MBI的006晶面也得以有效地受到限制，與006擇優(yōu)取向的MBI薄膜制備的器件相比，這更有利于載流子傳輸。

本發(fā)明授權(quán)溶劑蒸發(fā)誘導(dǎo)控制BiI₃薄膜取向制備MA₃Bi₂I₉鈣鈦礦太陽(yáng)電池方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種溶劑蒸發(fā)誘導(dǎo)控制BiI3薄膜取向制備MBI鈣鈦礦太陽(yáng)電池方法，其特征在于，包括： 第一步，制備BiI3溶液，稱取BiI3固體粉末，溶于有機(jī)溶劑中，在室溫下充分?jǐn)嚢?，過(guò)濾后待用； 第二步，旋涂，將第一步制備的溶液旋涂在覆蓋有電子傳輸層TiO2的FTO襯底上； 第三步，靜置，將第二步旋涂結(jié)束后將BiI3薄膜置于手套箱密閉容器中靜置不同時(shí)間； 第四步，退火，將靜置后的BiI3薄膜放置在加熱臺(tái)上加熱退火； 第五步，制備MBI鈣鈦礦薄膜，將第四步制備的BiI3薄膜置于CH3NH3IMAI粉末均勻地分散在基底周圍的培養(yǎng)皿中，將培養(yǎng)皿放置在真空干燥箱中，低壓加熱沉積MAI不同時(shí)間制備MBI； 第六步，制備空穴傳輸層，在制備的MBI鈣鈦礦薄膜上旋涂空穴傳輸層溶液，得到空穴傳輸層； 第七步，真空蒸鍍電極，在第六步制備的空穴傳輸層的表面利用真空蒸鍍法制備金電極層； 第一步中，制備溶液所需有機(jī)溶劑為N,N-二甲基甲酰胺，所述溶液濃度為0.5~2mmolmL； 所述第三步中，所述密閉靜置時(shí)間為1-5h。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人華北電力大學(xué)，其通訊地址為：102206 北京市昌平區(qū)北農(nóng)路2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。