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龍圖騰網獲悉南通尚陽通集成電路有限公司申請的專利SGT功率器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116314250B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111569973.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權SGT功率器件是由曾大杰設計研發完成，并于2021-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本SGT功率器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種SGT功率器件，屏蔽多晶硅形成于溝槽中，在俯視面上，溝槽排布結構包括：第四溝槽的環繞區域中形成有多個有源區，第一有源區中分布有第一溝槽，第二有源區中分布有第二溝槽；第一和第二溝槽互相垂直。各第三溝槽環繞在有源區的外側。第四溝槽頂部設置有第一接觸孔將底部的屏蔽多晶硅連接到漏極；第三溝槽頂部設置有第二接觸孔將底部的屏蔽多晶硅連接到源極；在第四溝槽的外側面外的半導體襯底表面形成有連接到漏極的第三接觸孔，第三和第四溝槽之間具有第一間距，第一間距大于SGT功率器件的漂移區的縱向厚度的一半以上。相鄰兩個第三溝槽的之間具有第二間隔區。本發明能降低器件的應力并從而防止產生由器件的應力帶來的工藝問題。

本發明授權SGT功率器件在權利要求書中公布了：1.一種SGT功率器件，其特征在于，屏蔽多晶硅形成于溝槽中，所述溝槽形成于半導體襯底中，在所述屏蔽多晶硅和所述溝槽之間間隔有屏蔽介質層，所述溝槽的深度以及所述屏蔽介質層和所述半導體襯底材料的熱膨脹系數的失配會在所述半導體襯底中產生應力； 在俯視面上，所述溝槽分成第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽和第四溝槽，各所述溝槽組成的排布結構包括： 所述第四溝槽位于終端區中，所述第四溝槽呈環形結構，所述第四溝槽的環繞區域中形成有多個有源區，所述有源區包括至少一個第一有源區和至少一個第二有源區； 所述第一有源區中分布有多個所述第一溝槽，各所述第一溝槽呈條形結構且各所述第一溝槽互相平行排列； 所述第二有源區中分布有多個所述第二溝槽，各所述第二溝槽呈條形結構且各所述第二溝槽互相平行排列； 各所述第一溝槽和各所述第二溝槽互相垂直，通過所述第一溝槽和所述第二溝槽的垂直設置以避免所述半導體襯底中的應力在一個方向集中并從而減少所述半導體襯底中的應力； 各所述第三溝槽呈環形結構，各所述有源區的外側都環繞有一個所述第三溝槽，各所述有源區位于對應的所述第三溝槽的內側面所環繞的區域中，各所述第三溝槽的外側面外為終端區； 所述第四溝槽的環形結構的部分區域中設置有第一接觸孔，所述第一接觸孔的底部和所述第四溝槽中的所述屏蔽多晶硅連接，所述第一接觸孔的頂部連接到漏極； 各所述第三溝槽的環形結構的部分區域中設置有第二接觸孔，各所述第二接觸孔的底部和對應的所述第三溝槽中的所述屏蔽多晶硅連接，所述第二接觸孔的頂部連接到源極； 在所述第四溝槽的外側面外的所述半導體襯底表面形成有第三接觸孔，所述第三接觸孔的頂部連接到所述漏極； 所述第四溝槽的內側面和相鄰的各所述第三溝槽的外側面之間具有第一間距，所述第一間距大于SGT功率器件的漂移區的縱向厚度的一半以上，以實現所述第三溝槽和所述第四溝槽之間的耐壓； 相鄰兩個所述第三溝槽的之間具有第二間隔區，所述第二間隔區的寬度為第二間距，所述第二間距保證兩個相鄰的所述第三溝槽對位于所述第二間隔區中的所述漂移區形成的耗盡區不會重疊。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南通尚陽通集成電路有限公司，其通訊地址為：226001 江蘇省南通市崇川區崇川路79號國際青創園1號樓18層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。