長鑫存儲技術有限公司白炅潤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構的制作方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115701209B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110805755.9，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構的制作方法及半導體結構是由白炅潤設計研發完成，并于2021-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制作方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本公開提供了一種半導體結構的制作方法及半導體結構，半導體結構的制作方法包括，提供初始結構，初始結構包括襯底和疊層結構及電容單元，疊層結構包括支撐層；形成第一掩膜層，第一掩膜層覆蓋疊層結構的頂面；在第一掩膜層形成第一開口，第一開口暴露出疊層結構的頂面，其中，第一開口在襯底上的投影區域與電容單元在襯底上的投影區域至少部分重合；形成遮擋結構，遮擋結構位于第一開口中，遮擋結構覆蓋第一開口的側壁；根據遮擋結構定義的圖案，去除部分支撐層，被保留的部分支撐層形成電容單元的支撐結構。在本公開中，僅保留遮擋結構覆蓋的部分支撐層的作為支撐結構，減少支撐結構在半導體結構中占用的空間。
本發明授權半導體結構的制作方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供初始結構，初始結構包括襯底和形成于所述襯底上的疊層結構，以及形成于所述疊層結構中的電容單元，所述疊層結構包括支撐層； 形成第一掩膜層，所述第一掩膜層覆蓋所述疊層結構的頂面； 在所述第一掩膜層形成第一開口，所述第一開口暴露出所述疊層結構的頂面，其中，所述第一開口在所述襯底上的投影區域與所述電容單元在所述襯底上的投影區域至少部分重合； 形成遮擋結構，所述遮擋結構位于所述第一開口中，所述遮擋結構覆蓋所述第一開口的側壁； 根據所述遮擋結構定義的圖案，去除部分所述支撐層，被保留的部分所述支撐層形成所述電容單元的支撐結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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